2N7002LT3G adalah MOSFET N-Channel dari onsemi, dirancang untuk aplikasi sinyal kecil dan dikemas dalam paket SOT-23 yang kompak. Komponen ini menawarkan tegangan drain-source (VDSS) 60V dan arus drain maksimum (ID) 115mA, membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi daya rendah. Karakteristiknya termasuk resistansi on-state yang rendah dan kemampuan saklar kecepatan tinggi. Perangkat ini memenuhi kualifikasi AEC-Q101, membuatnya cocok untuk aplikasi otomotif, dan juga bebas Pb, Bebas Halogen/BFR, dan memenuhi RoHS, mencerminkan komitmen onsemi terhadap keberlanjutan lingkungan.
MOSFET menampilkan RDS(on) maksimum 7.5Ω pada 10V, menunjukkan efisiensinya dalam menghantarkan arus dengan kerugian daya minimal. Juga mendukung arus drain pulsa (IDM) hingga 800mA, memungkinkan operasi arus tinggi sementara. Karakteristik termal perangkat memastikan operasi yang andal, dengan suhu persimpangan maksimum 150°C. Karakteristik dinamisnya mencakup kapasitansi masukan (Ciss) 50pF, membuatnya responsif dalam aplikasi sakelar berkecepatan tinggi.
MOSFET
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. Mereka dicirikan oleh terminal gerbang, drain, dan sumber mereka. MOSFET saluran N, seperti 2N7002LT3G, mengalirkan arus saat tegangan positif diterapkan ke gerbang relatif terhadap sumber, membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi switching.
Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, insinyur mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-source (VDSS), arus drain (ID), tegangan gate-source (VGS), dan resistansi on-state drain-source statis (RDS(on)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tegangan dan arus, efisiensinya, dan kesesuaiannya untuk aplikasi beralih kecepatan tinggi. Karakteristik termal juga penting, karena mempengaruhi keandalan dan umur panjang perangkat di bawah kondisi operasi yang berbeda.
MOSFET banyak digunakan dalam sirkuit manajemen daya, sistem kontrol motor, dan dalam switching beban di berbagai perangkat elektronik. Kemampuan mereka untuk switching dengan cepat dan efisien membuat mereka berharga dalam mengurangi konsumsi daya dan generasi panas dalam sistem elektronik. Selain itu, pilihan antara MOSFET N-Channel dan P-Channel tergantung pada kebutuhan spesifik sirkuit, termasuk arah aliran arus dan jenis beban yang didorong.
Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET melibatkan analisis cermat terhadap karakteristik elektriknya, kinerja termal, dan persyaratan spesifik aplikasi. Keandalan, efisiensi, dan kepatuhan terhadap standar lingkungan juga merupakan pertimbangan kunci dalam proses seleksi.