2N7002LT3G adalah MOSFET N-Channel dari onsemi, dirancang untuk aplikasi sinyal kecil dan ditempatkan dalam paket SOT-23 yang ringkas. Komponen ini menawarkan tegangan drain-source (VDSS) sebesar 60V dan arus drain maksimum (ID) sebesar 115mA, membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi berdaya rendah. Ini ditandai dengan resistansi on-state yang rendah dan kemampuan switching kecepatan tinggi. Perangkat ini memenuhi syarat AEC-Q101, membuatnya cocok untuk aplikasi otomotif, dan juga Bebas Pb, Bebas Halogen/Bebas BFR, dan sesuai RoHS, mencerminkan komitmen onsemi terhadap keberlanjutan lingkungan.
MOSFET ini memiliki fitur RDS(on) maksimum 7.5Ω pada 10V, yang menunjukkan efisiensinya dalam menghantarkan arus dengan kehilangan daya minimal. MOSFET ini juga mendukung arus drain berdenyut (IDM) hingga 800mA, memungkinkan operasi arus transien yang lebih tinggi. Karakteristik termal perangkat memastikan operasi yang andal, dengan suhu sambungan maksimum 150°C. Karakteristik dinamisnya mencakup kapasitansi input (Ciss) sebesar 50pF, membuatnya responsif dalam aplikasi switching kecepatan tinggi.
MOSFET
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) adalah jenis transistor yang digunakan untuk memperkuat atau mengalihkan sinyal elektronik. Mereka dicirikan oleh terminal gate, drain, dan source mereka. N-Channel MOSFET, seperti 2N7002LT3G, menghantarkan arus ketika tegangan positif diterapkan ke gate relatif terhadap source, menjadikannya cocok untuk berbagai aplikasi switching.
Saat memilih MOSFET untuk aplikasi tertentu, insinyur mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-source (VDSS), arus drain (ID), tegangan gate-source (VGS), dan resistansi on-state drain-source statis (RDS(on)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tegangan dan arus, efisiensinya, dan kesesuaiannya untuk aplikasi switching kecepatan tinggi. Karakteristik termal juga penting, karena memengaruhi keandalan dan umur panjang perangkat dalam kondisi operasi yang berbeda.
MOSFET banyak digunakan dalam sirkuit manajemen daya, sistem kontrol motor, dan dalam peralihan beban di berbagai perangkat elektronik. Kemampuannya untuk beralih dengan cepat dan dengan efisiensi tinggi menjadikannya berharga dalam mengurangi konsumsi daya dan pembangkitan panas dalam sistem elektronik. Selain itu, pilihan antara MOSFET N-Channel dan P-Channel bergantung pada persyaratan spesifik sirkuit, termasuk arah aliran arus dan jenis beban yang digerakkan.
Secara keseluruhan, pemilihan MOSFET melibatkan analisis cermat terhadap karakteristik listriknya, kinerja termal, dan persyaratan spesifik aplikasi. Keandalan, efisiensi, dan kepatuhan terhadap standar lingkungan juga merupakan pertimbangan utama dalam proses pemilihan.