El T2N7002BK de Toshiba es un Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) de Canal N de silicio diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Está encapsulado en un paquete compacto SOT23, lo que lo hace adecuado para aplicaciones con limitaciones de espacio. Este MOSFET presenta valores bajos de resistencia de encendido drenaje-fuente (RDS(ON)), con valores típicos de 1.05 Ω a VGS = 10 V, 1.15 Ω a VGS = 5.0 V y 1.2 Ω a VGS = 4.5 V, proporcionando una operación eficiente y minimizando las pérdidas de energía durante la operación.
El T2N7002BK soporta una tensión drenador-fuente (VDSS) de hasta 60 V y puede manejar corrientes continuas de drenador (ID) de hasta 400 mA, con corrientes pulsadas de drenador (IDP) de hasta 1200 mA. Su diseño robusto incluye características para asegurar fiabilidad y durabilidad bajo diversas condiciones operativas, incluyendo un rango de temperatura de canal de hasta 150°C. El dispositivo también ofrece tiempos de conmutación rápidos y baja carga de puerta, haciéndolo muy adecuado para aplicaciones de alta frecuencia. Es importante notar que, como todos los MOSFETs, el T2N7002BK es sensible a descargas electrostáticas y debe ser manipulado con las precauciones apropiadas.
MOSFET
Los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor) son un tipo de transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Son un componente esencial en una amplia gama de dispositivos electrónicos debido a su alta eficiencia y capacidades de conmutación rápida. Los MOSFETs de Canal-N, como el T2N7002BK, se utilizan típicamente en aplicaciones que requieren una gestión eficiente de la energía y conmutación de alta velocidad.
Al seleccionar un MOSFET para una aplicación específica, se deben considerar varios parámetros clave, incluidos el voltaje drenaje-fuente (VDSS), la corriente de drenaje (ID), la disipación de potencia (PD) y la resistencia de encendido drenaje-fuente (RDS(ON)). El voltaje umbral de puerta (Vth) y la carga de puerta también son factores importantes que afectan el rendimiento de conmutación y la eficiencia del MOSFET.
Los MOSFETs se utilizan ampliamente en aplicaciones de conversión y gestión de energía, incluyendo convertidores DC-DC, fuentes de alimentación y circuitos de control de motores. Su capacidad para conmutar eficientemente a altas velocidades los hace adecuados para aplicaciones de alta frecuencia. Sin embargo, es importante considerar la gestión térmica y la sensibilidad a la descarga electrostática (ESD) de los MOSFETs durante el diseño y la manipulación.
En general, la selección de un MOSFET debe basarse en una comprensión profunda de los requisitos de la aplicación y una revisión cuidadosa de las especificaciones del componente. Esto asegura un rendimiento y fiabilidad óptimos en el diseño electrónico final.