El T2N7002BK de Toshiba es un Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor de Canal N de silicio (MOSFET) diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Está encapsulado en un paquete SOT23 compacto, haciéndolo adecuado para aplicaciones con limitaciones de espacio. Este MOSFET presenta valores bajos de resistencia de drenaje-fuente en estado encendido (RDS(ON)), con valores típicos de 1.05 Ω a VGS = 10 V, 1.15 Ω a VGS = 5.0 V, y 1.2 Ω a VGS = 4.5 V, proporcionando una operación eficiente y minimizando las pérdidas de potencia durante la operación.
El T2N7002BK soporta un voltaje de drenaje-fuente (VDSS) de hasta 60 V y puede manejar corrientes de drenaje continuas (ID) de hasta 400 mA, con corrientes de drenaje pulsadas (IDP) de hasta 1200 mA. Su diseño robusto incluye características para asegurar la fiabilidad y durabilidad bajo diversas condiciones de operación, incluyendo un rango de temperatura del canal de hasta 150°C. El dispositivo también ofrece tiempos de conmutación rápidos y una baja carga de puerta, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia. Es importante notar que, como todos los MOSFETs, el T2N7002BK es sensible a la descarga electrostática y debe ser manejado con las precauciones adecuadas.
MOSFET
Los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo de Semiconductor de Óxido Metálico) son un tipo de transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Son un componente esencial en una amplia gama de dispositivos electrónicos debido a su alta eficiencia y capacidades de conmutación rápida. Los MOSFETs de canal N, como el T2N7002BK, se utilizan típicamente en aplicaciones que requieren gestión eficiente de la energía y conmutación de alta velocidad.
Al seleccionar un MOSFET para una aplicación específica, se deben considerar varios parámetros clave, incluyendo el voltaje de drenaje-fuente (VDSS), la corriente de drenaje (ID), la disipación de potencia (PD) y la resistencia de drenaje-fuente en estado activo (RDS(ON)). El voltaje de umbral de puerta (Vth) y la carga de puerta también son factores importantes que afectan el rendimiento de conmutación y la eficiencia del MOSFET.
Los MOSFETs son ampliamente utilizados en aplicaciones de conversión y gestión de potencia, incluyendo convertidores DC-DC, fuentes de alimentación y circuitos de control de motores. Su capacidad para conmutar eficientemente a altas velocidades los hace adecuados para aplicaciones de alta frecuencia. Sin embargo, es importante considerar la gestión térmica y la sensibilidad a la Descarga Electroestática (ESD) de los MOSFETs durante el diseño y manejo.
En general, la selección de un MOSFET debe basarse en una comprensión profunda de los requisitos de la aplicación y una revisión cuidadosa de las especificaciones del componente. Esto asegura un rendimiento óptimo y fiabilidad en el diseño electrónico final.