El 2N7002KT1G de onsemi es un MOSFET de canal N de pequeña señal diseñado para aplicaciones de alta eficiencia. Empaquetado en un factor de forma compacto SOT-23, este MOSFET soporta un voltaje drenaje-fuente (VDSS) de hasta 60V y una corriente máxima de drenaje (ID) de 380mA. Se caracteriza por una baja resistencia en encendido (RDS(on)) que varía entre 1.6Ω a 10V y 2.5Ω a 4.5V, mejorando la eficiencia general del componente en diseños de circuitos.
Este componente está diseñado con protección contra descargas electrostáticas (ESD), asegurando fiabilidad y durabilidad en aplicaciones sensibles. Su baja RDS(on) contribuye a una disipación de potencia reducida, haciéndolo adecuado para aplicaciones donde la eficiencia energética es crítica. El 2N7002KT1G está calificado según AEC-Q101 y es capaz de PPAP, lo que lo hace adecuado para aplicaciones automotrices y otros escenarios que requieren estrictos estándares de calidad y fiabilidad.
MOSFET
Los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor) son un componente fundamental en los circuitos electrónicos, actuando como interruptores o amplificadores. Son favorecidos por su alta eficiencia, rápidas velocidades de conmutación y facilidad de integración en varios diseños de circuitos. Los MOSFETs de Canal N, en particular, se utilizan ampliamente en aplicaciones de conversión y gestión de energía debido a su capacidad para manejar eficientemente niveles significativos de potencia.
Al seleccionar un MOSFET para una aplicación específica, los ingenieros consideran parámetros como el voltaje drenaje-fuente (VDSS), la corriente de drenaje (ID) y la resistencia en estado encendido (RDS(on)). El parámetro VDSS indica el voltaje máximo que el MOSFET puede bloquear cuando está apagado, mientras que el parámetro ID especifica la corriente máxima que puede manejar cuando está encendido. El valor RDS(on) es crítico para evaluar las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, con valores más bajos indicando una mayor eficiencia.
Además de estos parámetros, el tipo de paquete y las características térmicas también son consideraciones importantes, ya que afectan la capacidad del MOSFET para disipar calor y mantener el rendimiento bajo diversas condiciones de operación. Las características de protección como la resistencia ESD también son cruciales para garantizar la fiabilidad y longevidad del componente en aplicaciones sensibles.
El MOSFET 2N7002KT1G de onsemi ejemplifica estas consideraciones, ofreciendo un equilibrio de rendimiento, eficiencia y fiabilidad para una amplia gama de aplicaciones, incluidos dispositivos automotrices y portátiles.