2N7002K: MOSFET de canal N, 60V, 380mA, SOT-23, protegido contra ESD
onsemi

El 2N7002K es un MOSFET de Canal N desarrollado por onsemi, con un voltaje de drenaje a fuente (VDSS) de 60V y una corriente máxima de drenaje (ID) de 380mA. Este componente está alojado en un paquete compacto SOT-23, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de tecnología de montaje superficial (SMT). Una de las características clave de este MOSFET es su protección ESD, mejorando su fiabilidad en aplicaciones sensibles.

Diseñado para su uso en una variedad de circuitos, el 2N7002K sobresale en roles como un interruptor de carga de lado bajo, circuitos de cambio de nivel y convertidores DC-DC. También es adecuado para aplicaciones portátiles, incluyendo cámaras digitales, PDAs, teléfonos celulares y más. El componente está calificado AEC-Q101 y es capaz de PPAP, indicando su idoneidad para aplicaciones automotrices y otros escenarios que requieren estándares estrictos de calidad y fiabilidad.

Especificaciones y Características Clave

  • Voltaje Drenaje-Fuente (VDSS): 60V
  • Corriente de Drenaje Máxima (ID): 380mA a 25°C
  • RDS(on): 1.6Ω a 10V, 2.5Ω a 4.5V
  • Voltaje Puerta-Fuente (VGS): ±20V
  • Corriente de Drenaje Pulsada (IDM): 5.0A
  • Disipación de Potencia: 420mW con 1 sq in pad, 300mW con pad mínimo
  • Rango de Temperatura de Operación y Almacenamiento de la Unión: -55°C a +150°C
  • Protección ESD: 2000V

2N7002K Hoja de Datos

2N7002K hoja de datos (PDF)

2N7002K Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de 2N7002K, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Interruptor de carga de lado bajo
  • Circuitos de cambio de nivel
  • Convertidor DC-DC
  • Aplicaciones portátiles (por ejemplo, cámaras digitales, PDAs, teléfonos celulares)

Categoría

Transistores

Información general

Los MOSFETs de canal N son un componente crítico en circuitos electrónicos, actuando como interruptores o amplificadores. Permiten el control sobre circuitos de alta potencia con una señal de voltaje baja, haciéndolos indispensables en la gestión de potencia, procesamiento de señales y aplicaciones de control. Al seleccionar un MOSFET de canal N, las consideraciones importantes incluyen el voltaje de drenaje a fuente (VDSS), la corriente de drenaje (ID), RDS(on) y el tipo de paquete.

El MOSFET 2N7002K de onsemi es notable por su compacto paquete SOT-23 y protección ESD, ofreciendo una mezcla de rendimiento y fiabilidad. Su bajo RDS(on) asegura una operación eficiente, mientras que la protección ESD mejora su durabilidad en entornos sensibles. Adecuado tanto para aplicaciones automotrices como para dispositivos portátiles, este MOSFET es una elección versátil para ingenieros.

Al elegir un MOSFET, los ingenieros también deben considerar las características térmicas y la disipación de potencia para asegurar que el componente opere dentro de su área segura de operación (SOA). Las características térmicas del 2N7002K lo hacen adecuado para aplicaciones donde el espacio es limitado y la gestión del calor es una preocupación.

En general, el 2N7002K representa una opción confiable, eficiente y versátil para una amplia gama de aplicaciones, desde sistemas automotrices hasta electrónica portátil, convirtiéndolo en un componente valioso en el kit de herramientas del ingeniero.

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  • Negocios: 3/10
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