2N7002K: MOSFET de Canal N, 60V, 380mA, SOT-23, Protegido contra ESD
onsemi

El 2N7002K es un MOSFET de Canal N desarrollado por onsemi, con un voltaje drenaje-fuente (VDSS) de 60V y una corriente máxima de drenaje (ID) de 380mA. Este componente está alojado en un encapsulado compacto SOT-23, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de tecnología de montaje superficial (SMT). Una de las características clave de este MOSFET es su protección ESD, mejorando su fiabilidad en aplicaciones sensibles.

Diseñado para su uso en una variedad de circuitos, el 2N7002K sobresale en roles como interruptor de carga de lado bajo, circuitos de cambio de nivel y convertidores DC-DC. También es muy adecuado para aplicaciones portátiles, incluidas cámaras digitales, PDAs, teléfonos celulares y más. El componente está calificado AEC-Q101 y es capaz de PPAP, indicando su idoneidad para aplicaciones automotrices y otros escenarios que requieren estrictos estándares de calidad y confiabilidad.

Especificaciones y Características Clave

  • Tensión drenador-fuente (VDSS): 60V
  • Corriente máxima de drenador (ID): 380mA a 25°C
  • RDS(on): 1.6Ω a 10V, 2.5Ω a 4.5V
  • Tensión puerta-fuente (VGS): ±20V
  • Corriente pulsada de drenador (IDM): 5.0A
  • Disipación de potencia: 420mW con pad de 1 pulgada cuadrada, 300mW con pad mínimo
  • Rango de temperatura de unión operativa y almacenamiento: -55°C a +150°C
  • Protección ESD: 2000V

Hoja de datos de 2N7002K

Hoja de datos de 2N7002K (PDF)

Sustitutos de 2N7002K
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de 2N7002K, componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Interruptor de carga de lado bajo
  • Circuitos de cambio de nivel
  • Convertidor CC-CC
  • Aplicaciones portátiles (p. ej., cámaras digitales, PDAs, teléfonos móviles)

Categoría

Transistores

Información general

Los MOSFETs de Canal N son un componente crítico en los circuitos electrónicos, actuando como interruptores o amplificadores. Permiten el control sobre circuitos de alta potencia con una señal de bajo voltaje, haciéndolos indispensables en la gestión de energía, procesamiento de señales y aplicaciones de control. Al seleccionar un MOSFET de Canal N, las consideraciones importantes incluyen el voltaje drenaje-fuente (VDSS), la corriente de drenaje (ID), RDS(on) y el tipo de encapsulado.

El MOSFET 2N7002K de onsemi es notable por su paquete compacto SOT-23 y protección ESD, ofreciendo una mezcla de rendimiento y confiabilidad. Su bajo RDS(on) asegura una operación eficiente, mientras que la protección ESD mejora su durabilidad en entornos sensibles. Adecuado tanto para aplicaciones automotrices como para dispositivos portátiles, este MOSFET es una opción versátil para ingenieros.

Al elegir un MOSFET, los ingenieros también deben considerar las características térmicas y la disipación de potencia para garantizar que el componente opere dentro de su área de operación segura (SOA). Las características térmicas del 2N7002K lo hacen adecuado para aplicaciones donde el espacio es limitado y la gestión del calor es una preocupación.

En general, el 2N7002K representa una opción fiable, eficiente y versátil para una amplia gama de aplicaciones, desde sistemas automotrices hasta electrónica portátil, lo que lo convierte en un componente valioso en el conjunto de herramientas del ingeniero.

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