El BSS138BK de Nexperia es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N que utiliza tecnología Trench MOSFET para proporcionar alta eficiencia y rendimiento en un paquete de plástico compacto SOT23 (TO-236AB) de Dispositivo de Montaje Superficial (SMD). Este componente está diseñado para compatibilidad a nivel lógico, presentando capacidades de conmutación muy rápidas y protección contra Descargas Electrostáticas (ESD) de hasta 1.5 kV, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
Las características clave incluyen un voltaje drenador-fuente (VDS) de 60V, voltaje puerta-fuente (VGS) de ±20V, y una corriente de drenador (ID) de hasta 360mA a 25°C de temperatura ambiente. El BSS138BK también exhibe una baja resistencia en estado encendido drenador-fuente (RDSon) de 1 a 1.6Ω a VGS = 10V e ID = 350mA, asegurando una operación eficiente. Sus características térmicas y diseño robusto lo hacen fiable para su uso en diversas aplicaciones, incluyendo controladores de relé, interruptores de carga de lado bajo, controladores de línea de alta velocidad y circuitos de conmutación.
Transistor
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para conmutar y amplificar señales. Operan utilizando un voltaje de entrada para controlar el flujo de corriente a través de un canal. La designación de canal N se refiere al tipo de portadores de carga (electrones) que se mueven a través del dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros consideran parámetros como el voltaje drenador-fuente (VDS), voltaje puerta-fuente (VGS), corriente de drenaje (ID) y la resistencia en estado encendido drenador-fuente (RDSon). Estos parámetros determinan la capacidad del dispositivo para manejar niveles de voltaje, corriente y potencia de manera eficiente.
Los MOSFETs de canal N son favorecidos por su alta eficiencia, velocidades de conmutación rápidas y la capacidad de conducir corrientes significativas. Encuentran aplicaciones en una variedad de circuitos, incluidas fuentes de alimentación, controladores de motores e interruptores electrónicos. Las consideraciones clave al elegir un MOSFET de canal N incluyen los requisitos específicos de la aplicación, la gestión térmica y la necesidad de características de protección como la resistencia a ESD.
El BSS138BK ejemplifica el uso de la tecnología Trench MOSFET, que mejora el rendimiento al reducir la resistencia en estado encendido y mejorar las velocidades de conmutación. Esto lo hace adecuado para aplicaciones que requieren una gestión eficiente de la energía y capacidades de conmutación rápida.