El BSS138BK de Nexperia es un Transistor de Efecto de Campo (FET) N-canal de modo de mejora que utiliza la tecnología MOSFET de trinchera para proporcionar alta eficiencia y rendimiento en un paquete plástico de Dispositivo de Montaje Superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB) compacto. Este componente está diseñado para compatibilidad a nivel lógico, presentando capacidades de conmutación muy rápidas y protección contra Descarga Electroestática (ESD) hasta 1.5 kV, haciéndolo adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
Las características clave incluyen un voltaje de drenador-fuente (VDS) de 60V, un voltaje de puerta-fuente (VGS) de ±20V y una corriente de drenaje (ID) de hasta 360mA a una temperatura ambiente de 25°C. El BSS138BK también exhibe una baja resistencia en estado de conducción de drenador-fuente (RDSon) de 1 a 1.6Ω a VGS = 10V e ID = 350mA, asegurando una operación eficiente. Sus características térmicas y diseño robusto lo hacen confiable para su uso en varias aplicaciones, incluyendo controladores de relé, interruptores de carga de lado bajo, controladores de línea de alta velocidad y circuitos de conmutación.
Transistor
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para conmutar y amplificar señales. Operan utilizando un voltaje de entrada para controlar el flujo de corriente a través de un canal. La designación de canal N se refiere al tipo de portadores de carga (electrones) que se mueven a través del dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros consideran parámetros como el voltaje de drenaje-fuente (VDS), el voltaje de puerta-fuente (VGS), la corriente de drenaje (ID) y la resistencia en estado de conducción de drenaje-fuente (RDSon). Estos parámetros determinan la capacidad del dispositivo para manejar eficientemente los niveles de voltaje, corriente y potencia.
Los MOSFETs de canal N son favorecidos por su alta eficiencia, velocidades de conmutación rápidas y la capacidad de manejar corrientes significativas. Encuentran aplicaciones en una variedad de circuitos, incluyendo fuentes de alimentación, controladores de motores y conmutadores electrónicos. Las consideraciones clave al elegir un MOSFET de canal N incluyen los requisitos específicos de la aplicación, la gestión térmica y la necesidad de características de protección como resistencia ESD.
El BSS138BK ejemplifica el uso de la tecnología MOSFET de Trinchera, que mejora el rendimiento reduciendo la resistencia en estado activo y mejorando las velocidades de conmutación. Esto lo hace adecuado para aplicaciones que requieren una gestión eficiente de la potencia y capacidades de conmutación rápidas.