El PMV37ENEA es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N de 60 V que utiliza tecnología Trench MOSFET para proporcionar alta eficiencia y rendimiento. Empaquetado en un paquete de plástico compacto SOT23 (TO-236AB) para montaje en superficie (SMD), está diseñado para una amplia gama de aplicaciones. Este componente se caracteriza por su compatibilidad a nivel lógico, lo que permite que sea impulsado directamente por circuitos lógicos sin circuitos integrados de controlador adicionales. Además, admite un rango de temperatura extendido de hasta 175 °C, lo que lo hace adecuado para entornos de alta temperatura.
Con una protección contra Descargas Electrostáticas (ESD) que supera los 2 kV HBM (clase H2) y una calificación según los estándares AEC-Q101, el PMV37ENEA está diseñado para ofrecer fiabilidad y robustez en aplicaciones automotrices y otras aplicaciones exigentes. Su baja resistencia en estado encendido y alta eficiencia lo convierten en una excelente opción para tareas de gestión de energía, incluyendo el accionamiento de relés, accionamiento de líneas de alta velocidad, conmutación de carga de lado bajo y varios circuitos de conmutación.
Transistor
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) ampliamente utilizado en circuitos electrónicos para conmutar y amplificar señales. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre los terminales de drenaje y fuente. Canal N se refiere al tipo de portador de carga (electrones) que conduce la corriente en el dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje drenaje-fuente (VDS), el voltaje puerta-fuente (VGS), la corriente de drenaje (ID) y la resistencia en estado encendido drenaje-fuente (RDSon). Estos parámetros determinan la idoneidad del MOSFET para diferentes aplicaciones, incluida la gestión de energía, el procesamiento de señales y la conmutación de alta frecuencia.
La tecnología MOSFET de trinchera ofrece ventajas en términos de menor resistencia en estado encendido y mayor eficiencia, haciéndola adecuada para aplicaciones que requieren alta densidad de potencia y mínima generación de calor. La compatibilidad a nivel lógico permite la interfaz directa con microcontroladores o circuitos lógicos, simplificando el diseño.
Además de las especificaciones eléctricas, factores como el tipo de paquete, las características térmicas y las características de protección (por ejemplo, protección ESD) también son importantes. Estos aspectos influyen en el rendimiento del MOSFET en aplicaciones específicas y su capacidad para soportar condiciones operativas adversas.