El PMV37ENEA es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N de 60 V que utiliza la tecnología MOSFET de trinchera para proporcionar alta eficiencia y rendimiento. Empaquetado en un compacto paquete plástico de Dispositivo Montado en Superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB), está diseñado para una amplia gama de aplicaciones. Este componente se caracteriza por su compatibilidad a nivel lógico, permitiéndole ser directamente conducido por circuitos lógicos sin ICs de controlador adicionales. Además, soporta un rango de temperatura extendido hasta 175 °C, haciéndolo adecuado para entornos de alta temperatura.
Con protección contra Descarga ElectroEstática (ESD) que supera los 2 kV HBM (clase H2) y calificación según los estándares AEC-Q101, el PMV37ENEA está diseñado para la fiabilidad y robustez en aplicaciones automotrices y otras exigentes. Su baja resistencia en estado activo y alta eficiencia lo hacen una excelente elección para tareas de gestión de energía, incluyendo la conducción de relevadores, conducción de líneas de alta velocidad, conmutación de carga de lado bajo y varios circuitos de conmutación.
Transistor
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) ampliamente utilizado en circuitos electrónicos para conmutar y amplificar señales. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre los terminales de drenaje y fuente. Canal N se refiere al tipo de portador de carga (electrones) que conduce la corriente en el dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje de drenaje a fuente (VDS), el voltaje de puerta a fuente (VGS), la corriente de drenaje (ID) y la resistencia de drenaje a fuente en estado de conducción (RDSon). Estos parámetros determinan la idoneidad del MOSFET para diferentes aplicaciones, incluyendo la gestión de energía, procesamiento de señales y conmutación de alta frecuencia.
La tecnología MOSFET de trinchera ofrece ventajas en términos de menor resistencia en estado de conducción y mayor eficiencia, lo que la hace adecuada para aplicaciones que requieren alta densidad de potencia y generación mínima de calor. La compatibilidad a nivel lógico permite una interfaz directa con circuitos de microcontrolador o lógica, simplificando el diseño.
Además de las especificaciones eléctricas, factores como el tipo de paquete, características térmicas y características de protección (por ejemplo, protección ESD) también son importantes. Estos aspectos influyen en el rendimiento del MOSFET en aplicaciones específicas y su capacidad para resistir condiciones operativas severas.