El 2N7002K-7 de Diodes Inc. es un MOSFET de Modo de Enriquecimiento de Canal N diseñado para una gestión eficiente de la energía y aplicaciones de control de motores. Viene en un paquete compacto SOT23, haciéndolo adecuado para diseños de PCB de alta densidad. Este MOSFET se caracteriza por su baja resistencia en estado encendido (RDS(ON)) y capacidades de conmutación rápida, que son cruciales para minimizar las pérdidas de potencia y mejorar la eficiencia general del sistema.
Con un voltaje máximo drenaje-fuente (VDSS) de 60V y una capacidad de corriente de drenaje continua (ID) de hasta 380mA a 25°C, el 2N7002K-7 es muy adecuado para una amplia gama de aplicaciones. También cuenta con bajas corrientes de fuga de entrada y salida, asegurando un desperdicio mínimo de energía cuando está en estado apagado. El dispositivo está protegido contra ESD hasta 2kV, proporcionando fiabilidad y robustez adicionales en entornos difíciles.
MOSFET
Los MOSFET de modo de enriquecimiento de canal N son dispositivos semiconductores que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para fines de conmutación y amplificación. Estos componentes funcionan utilizando un campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un material semiconductor, permitiendo o bloqueando el flujo de corriente.
Al seleccionar un MOSFET de Canal N, los ingenieros deben considerar varios parámetros clave como el voltaje drenaje-fuente (VDSS), la corriente de drenaje continua (ID) y la resistencia estática drenaje-fuente en encendido (RDS(ON)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los niveles de voltaje y corriente en una aplicación dada, así como su eficiencia y rendimiento térmico.
Adicionalmente, la velocidad de conmutación, la capacitancia de entrada y el empaquetado también son factores importantes. Las velocidades de conmutación rápidas son deseables para reducir las pérdidas de conmutación, mientras que la baja capacitancia de entrada ayuda a lograr frecuencias de operación más altas. El tipo de paquete influye en la gestión térmica y la integración física del MOSFET en el circuito.
Los MOSFETs de Canal N se utilizan comúnmente en circuitos de suministro de energía, aplicaciones de control de motores y como elementos de conmutación en varios dispositivos electrónicos. Su capacidad para controlar eficientemente altas corrientes y voltajes mientras minimizan las pérdidas de energía los convierte en componentes esenciales en el diseño electrónico moderno.