El 2N7002BK de Nexperia es un transistor de efecto de campo (FET) de modo de enriquecimiento N-Channel que utiliza tecnología MOSFET de trinchera. Está empaquetado en un compacto encapsulado SOT23 (TO-236AB) de dispositivo montado en superficie (SMD) de plástico, diseñado para aplicaciones de nivel lógico con capacidades de conmutación muy rápidas. El componente está equipado con protección ESD hasta 2 kV, asegurando un rendimiento robusto en diversas aplicaciones.
Este MOSFET se caracteriza por un voltaje drenador-fuente (VDS) de 60 V y una corriente de drenaje (ID) de 350 mA a 25°C, con un voltaje puerta-fuente (VGS) de ±20 V. La resistencia en estado encendido drenador-fuente (RDSon) se especifica entre 1 y 1.6 Ω a un voltaje puerta-fuente de 10 V y una corriente de drenaje de 500 mA. Sus características térmicas y parámetros dinámicos, incluyendo la carga total de la puerta y la capacitancia de entrada/salida, están optimizados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
MOSFET
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que se utilizan predominantemente para conmutar y amplificar señales electrónicas en varios tipos de dispositivos electrónicos. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre los terminales de fuente y drenaje. Canal N se refiere al tipo de portador de carga (electrones) que fluye a través del dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET N-channel, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje de drenaje-fuente (VDS), corriente de drenaje (ID), voltaje de puerta-fuente (VGS) y la resistencia de drenaje-fuente en estado activo (RDSon). Otros factores importantes incluyen las capacidades de disipación de energía del dispositivo, resistencia térmica y cualquier característica protectora como protección ESD.
Los MOSFETs son integrales en el diseño de circuitos de suministro de energía, circuitos de control de motores y como interruptores en varios dispositivos electrónicos. Su capacidad para conmutar rápidamente los hace adecuados para aplicaciones de alta velocidad y alta frecuencia. La elección del encapsulado (por ejemplo, SOT23) también es crucial, afectando la gestión térmica y la huella general del componente en un diseño de circuito.
En general, la selección de un MOSFET de canal N debe ser guiada por los requisitos específicos de la aplicación, incluyendo los niveles de voltaje y corriente de operación, velocidad de conmutación, consideraciones térmicas y restricciones de empaquetado.