El 2N7002BK de Nexperia es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N que utiliza tecnología Trench MOSFET. Está empaquetado en un paquete de plástico compacto SOT23 (TO-236AB) para Dispositivos de Montaje Superficial (SMD), diseñado para aplicaciones de nivel lógico con capacidades de conmutación muy rápidas. El componente está equipado con protección ESD de hasta 2 kV, asegurando un rendimiento robusto en diversas aplicaciones.
Este MOSFET se caracteriza por una tensión drenador-fuente (VDS) de 60 V y una corriente de drenador (ID) de 350 mA a 25°C, con una tensión puerta-fuente (VGS) de ±20 V. La resistencia en estado encendido drenador-fuente (RDSon) se especifica entre 1 y 1.6 Ω a una tensión puerta-fuente de 10 V y una corriente de drenador de 500 mA. Sus características térmicas y parámetros dinámicos, incluyendo la carga total de puerta y la capacitancia de entrada/salida, están optimizados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
MOSFET
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que se utilizan predominantemente para conmutar y amplificar señales electrónicas en varios tipos de dispositivos electrónicos. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre los terminales de fuente y drenaje. Canal N se refiere al tipo de portador de carga (electrones) que fluye a través del dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje drenador-fuente (VDS), la corriente de drenador (ID), el voltaje puerta-fuente (VGS) y la resistencia en estado encendido drenador-fuente (RDSon). Otros factores importantes incluyen las capacidades de disipación de potencia del dispositivo, la resistencia térmica y cualquier característica de protección como la protección ESD.
Los MOSFETs son integrales en el diseño de circuitos de suministro de energía, circuitos de control de motores y como interruptores en varios dispositivos electrónicos. Su capacidad para conmutar rápidamente los hace adecuados para aplicaciones de alta velocidad y alta frecuencia. La elección del encapsulado (por ejemplo, SOT23) también es crucial, afectando la gestión térmica y la huella general del componente en un diseño de circuito.
En general, la selección de un MOSFET de canal N debe guiarse por los requisitos específicos de la aplicación, incluyendo el voltaje de operación y los niveles de corriente, la velocidad de conmutación, las consideraciones térmicas y las restricciones de empaquetado.