El 2N7002P,235 de Nexperia es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de mejora N-channel que utiliza tecnología MOSFET de Trinchera. Empaquetado en un pequeño paquete plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB), ofrece una solución compacta para varias aplicaciones. Este componente está diseñado para operar como un controlador de línea de alta velocidad, controlador de relé, interruptor de carga de lado bajo y en circuitos de conmutación, entre otras aplicaciones.
Cuenta con un voltaje de drenaje-fuente (VDS) de 60 V, un rango de voltaje de compuerta-fuente (VGS) de -20 a 20 V, y una corriente de drenaje continua (ID) de hasta 360 mA a 25°C. El dispositivo se caracteriza por sus capacidades de conmutación rápida y compatibilidad con niveles lógicos, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de circuitos electrónicos. El 2N7002P,235 también está calificado AEC-Q101, indicando su fiabilidad para aplicaciones automotrices.
Transistor
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para conmutar y amplificar señales. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre los terminales de drenaje y fuente, el cual es modulado por el voltaje aplicado al terminal de puerta. El término canal N se refiere al tipo de portador de carga (electrones) que conduce la corriente en el dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, se deben considerar varios parámetros clave, incluyendo el voltaje de drenaje-fuente (VDS), el voltaje de puerta-fuente (VGS) y la corriente de drenaje (ID). Estos parámetros determinan la capacidad de manejo de potencia y la eficiencia del MOSFET en un circuito. La resistencia en estado de conducción (RDSon) también es un factor importante, ya que afecta la pérdida de potencia y la generación de calor cuando el MOSFET está conduciendo.
Las aplicaciones de los MOSFETs de canal N son diversas, que van desde la gestión de potencia en dispositivos portátiles hasta el accionamiento de motores en aplicaciones industriales. Sus capacidades de conmutación rápida los hacen adecuados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como en convertidores e inversores de potencia.
Los ingenieros también deben considerar las características térmicas del MOSFET, incluyendo la resistencia térmica y la temperatura máxima de la unión, para asegurar una operación fiable bajo diversas condiciones de operación. Las opciones de empaquetado, como el paquete SOT23, ofrecen una solución compacta para aplicaciones con limitaciones de espacio.