El 2N7002P,235 de Nexperia es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N que utiliza tecnología MOSFET de Trinchera. Empaquetado en un pequeño paquete de plástico para dispositivos de montaje superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB), ofrece una solución compacta para diversas aplicaciones. Este componente está diseñado para operar como un controlador de línea de alta velocidad, controlador de relé, interruptor de carga de lado bajo y en circuitos de conmutación, entre otras aplicaciones.
Cuenta con un voltaje drenaje-fuente (VDS) de 60 V, un rango de voltaje puerta-fuente (VGS) de -20 a 20 V, y una corriente continua de drenaje (ID) de hasta 360 mA a 25°C. El dispositivo se caracteriza por sus capacidades de conmutación rápida y compatibilidad con niveles lógicos, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de circuitos electrónicos. El 2N7002P,235 también cuenta con la calificación AEC-Q101, lo que indica su fiabilidad para aplicaciones automotrices.
Transistor
Los MOSFET de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para conmutar y amplificar señales. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre los terminales de drenaje y fuente, que es modulado por el voltaje aplicado al terminal de puerta. Canal N se refiere al tipo de portador de carga (electrones) que conduce corriente en el dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, se deben considerar varios parámetros clave, incluidos el voltaje drenaje-fuente (VDS), el voltaje puerta-fuente (VGS) y la corriente de drenaje (ID). Estos parámetros determinan la capacidad de manejo de potencia y la eficiencia del MOSFET en un circuito. La resistencia en estado encendido (RDSon) también es un factor importante, ya que afecta la pérdida de potencia y la generación de calor cuando el MOSFET está conduciendo.
Las aplicaciones de los MOSFET de canal N son diversas, desde la gestión de energía en dispositivos portátiles hasta el accionamiento de motores en aplicaciones industriales. Sus capacidades de conmutación rápida los hacen adecuados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como en convertidores de potencia e inversores.
Los ingenieros también deben considerar las características térmicas del MOSFET, incluida la resistencia térmica y la temperatura máxima de unión, para garantizar una operación fiable bajo diversas condiciones operativas. Las opciones de empaquetado, como el paquete SOT23, ofrecen una solución compacta para aplicaciones con limitaciones de espacio.