2N7002L: MOSFET Canal-N, 60V, 200mA, SOT-23
onsemi

El 2N7002L es un MOSFET de canal N producido utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celdas de onsemi. Este componente está diseñado para ofrecer una baja resistencia en estado encendido al tiempo que garantiza un rendimiento de conmutación robusto, fiable y rápido. Es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente, lo que lo convierte en una opción versátil para varios circuitos electrónicos.

Con un diseño de celda de alta densidad, el 2N7002L logra una baja RDS(on), lo que lo convierte en una opción eficiente para tareas de gestión de energía. Su capacidad para actuar como un interruptor de pequeña señal controlado por voltaje se suma a su flexibilidad en el diseño de circuitos. La alta capacidad de corriente de saturación y la robustez del componente lo convierten en una opción fiable para entornos exigentes.

Especificaciones y Características Clave

  • Voltaje Drenaje-Fuente (VDSS): 60 V
  • Voltaje Puerta-Fuente (VGSS): ±20 V, No Repetitivo (tp < 50 ms) ±40 V
  • Corriente de Drenaje Máxima (ID): 200 mA Continua, 500 mA Pulsada
  • Disipación de Potencia Máxima (PD): 400 mW, Reducida por encima de 25°C
  • Resistencia Térmica, Unión a Ambiente (RθJA): 625 °C/W
  • Voltaje Umbral de Puerta (VGS(th)): 1 a 2.5 V
  • Resistencia Estática Drenaje-Fuente en Encendido (RDS(on)): 1.2 a 7.5 Ω
  • Voltaje Drenaje-Fuente en Encendido (VDS(on)): 0.6 a 3.75 V

Hoja de datos de 2N7002L

Hoja de datos de 2N7002L (PDF)

Sustitutos de 2N7002L
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de 2N7002L, componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Control de servomotores pequeños
  • Controladores de puerta de MOSFET de potencia
  • Diversas aplicaciones de conmutación

Categoría

Transistor

Información general

Los MOSFETs de Canal N como el 2N7002L son componentes fundamentales en el diseño electrónico, ofreciendo un medio para controlar eficientemente la distribución de energía en los circuitos. Estos transistores operan permitiendo que la corriente fluya entre los terminales de drenaje y fuente cuando se aplica un voltaje al terminal de puerta, lo que los hace ideales para conmutar y amplificar señales.

Al seleccionar un MOSFET de canal N, las consideraciones importantes incluyen el voltaje drenaje-fuente, el voltaje puerta-fuente, la corriente máxima de drenaje y las capacidades de disipación de potencia. Las características térmicas también son cruciales, ya que afectan la fiabilidad y el rendimiento del dispositivo bajo diferentes condiciones de funcionamiento.

La baja resistencia en estado encendido del 2N7002L es beneficiosa para reducir la pérdida de potencia y mejorar la eficiencia en las aplicaciones. Su empaquetado compacto SOT-23 es adecuado para diseños con limitaciones de espacio. Los ingenieros también deben considerar la velocidad de conmutación, la carga de la puerta y las características de capacitancia para asegurar la compatibilidad con los requisitos de su circuito.

En resumen, el 2N7002L ofrece un equilibrio de rendimiento, fiabilidad y eficiencia, lo que lo convierte en una opción adecuada para una amplia gama de aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente. Comprender sus especificaciones y cómo se alinean con los requisitos de la aplicación prevista es clave para realizar una selección informada.

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