El 2N7002LT1G de onsemi es un MOSFET de Canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de señales pequeñas. Alojado en un paquete compacto SOT-23, este MOSFET soporta un voltaje de drenaje-fuente (VDSS) de hasta 60V y una corriente de drenaje continua (ID) de 115mA a 25°C. Cuenta con una baja resistencia en estado activo (RDS(on)) de 7.5 Ohms a VGS = 10V, mejorando su eficiencia en la operación del circuito.
El dispositivo también ofrece un rendimiento térmico robusto con una resistencia térmica máxima de unión a ambiente (RθJA) de 556 °C/W en una placa FR-5. Para aplicaciones que requieren una mayor eficiencia térmica, el rendimiento del dispositivo en un sustrato de alúmina muestra una RθJA mejorada de 417 °C/W. El 2N7002LT1G está diseñado para manejar corrientes de drenaje pulsadas (IDM) de hasta 800mA, proporcionando flexibilidad para una gama de requisitos de diseño. Sus características dinámicas incluyen capacitancias de entrada, salida y transferencia inversa, facilitando la modelación precisa en aplicaciones de conmutación.
MOSFET
Los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo de Óxido Metálico-Semiconductor) son un tipo de transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Son ampliamente utilizados en dispositivos electrónicos debido a su alta impedancia de entrada, lo que minimiza el consumo de corriente del fuente de entrada, y su capacidad para operar a altas velocidades. Los MOSFETs de canal N, como el 2N7002LT1G, conducen cuando se aplica un voltaje positivo a la puerta en relación con la fuente, haciéndolos adecuados para una variedad de aplicaciones incluyendo la gestión de energía, conmutación de carga y amplificación de señal.
Al seleccionar un MOSFET para una aplicación específica, los parámetros importantes a considerar incluyen el voltaje drenador-fuente (VDSS), la corriente de drenador (ID), la resistencia en estado activo (RDS(on)) y las características térmicas. La calificación VDSS indica el voltaje máximo que el MOSFET puede bloquear cuando está apagado, mientras que la calificación ID proporciona la corriente máxima que puede conducir cuando está encendido. El valor RDS(on) es crítico para la eficiencia energética, ya que valores más bajos resultan en menos disipación de potencia. Las características térmicas, como la resistencia térmica unión-a-ambiente (RθJA), también son importantes para asegurar que el dispositivo opere dentro de límites de temperatura seguros.
Además de estos parámetros, las características de conmutación del MOSFET, como los tiempos de encendido y apagado, son cruciales para aplicaciones que requieren velocidades de conmutación rápidas. Las características del diodo de cuerpo, que describen el comportamiento del diodo intrínseco entre el drenador y la fuente, son relevantes para aplicaciones que involucran flujo de corriente inversa. En general, la selección de un MOSFET debe basarse en una evaluación completa de su rendimiento eléctrico y térmico para cumplir con los requisitos específicos de la aplicación prevista.