El 2N7002 es un MOSFET de señal pequeña de canal N diseñado y fabricado por onsemi. Utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celdas de onsemi, este MOSFET está diseñado para ofrecer una baja resistencia en estado activo mientras mantiene un alto rendimiento de conmutación y fiabilidad. Es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y bajo corriente, ofreciendo una solución eficiente para la conducción de puertas de MOSFET de potencia y otras operaciones de conmutación.
El componente está encapsulado en un paquete SOT-23, proporcionando una huella compacta adecuada para varios diseños electrónicos. Su diseño se dirige a aplicaciones que requieren una gestión y control eficientes de la energía, como el control de motores servo, donde sus capacidades de conmutación rápida y robustez son beneficiosas. El dispositivo también se destaca por su alta capacidad de corriente de saturación, mejorando aún más su rendimiento en aplicaciones exigentes.
Transistor
Los MOSFETs de canal N son componentes fundamentales en el diseño electrónico, sirviendo como interruptores o amplificadores eficientes en circuitos. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar la conductividad de un 'canal', en este caso, material semiconductor tipo N, permitiendo o previniendo el flujo de corriente entre los terminales de drenaje y fuente. El terminal de puerta recibe el voltaje de control.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, varios factores son importantes: el voltaje máximo de drenaje a fuente (VDSS), que indica el voltaje máximo que el MOSFET puede bloquear; la corriente de drenaje (ID), que es la corriente máxima que el dispositivo puede conducir; y el voltaje de puerta a fuente (VGSS), que es el rango de voltaje que la puerta puede manejar de forma segura. Además, la resistencia en estado de conducción (RDS(on)) es crucial ya que afecta la pérdida de potencia y la eficiencia del MOSFET en su estado de conducción.
Las aplicaciones para MOSFETs N-Canal son vastas, que van desde la gestión y conversión de potencia hasta el control de motores y la amplificación de señales. Su capacidad para conmutar rápidamente y con alta eficiencia los hace adecuados para circuitos tanto analógicos como digitales. Los ingenieros deben considerar los requisitos específicos de su aplicación, incluyendo la manipulación de corriente necesaria, niveles de voltaje y velocidad de conmutación, para seleccionar el MOSFET apropiado.
Además, la gestión térmica es una consideración significativa debido al calor generado durante la operación. La resistencia térmica y la temperatura máxima de la unión son especificaciones clave que ayudan a asegurar que el MOSFET opere dentro de límites de temperatura seguros, preservando su fiabilidad y longevidad.