El 2N7002 es un MOSFET de canal N de pequeña señal diseñado y fabricado por onsemi. Utilizando la tecnología DMOS de alta densidad de celdas de onsemi, este MOSFET está diseñado para ofrecer baja resistencia en estado encendido mientras mantiene un alto rendimiento de conmutación y fiabilidad. Es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente, ofreciendo una solución eficiente para el control de puerta de MOSFET de potencia y otras operaciones de conmutación.
El componente está encapsulado en un paquete SOT-23, proporcionando una huella compacta adecuada para varios diseños electrónicos. Su diseño apunta a aplicaciones que requieren una gestión y control de energía eficientes, como el control de servomotores, donde sus capacidades de conmutación rápida y robustez son beneficiosas. El dispositivo también se destaca por su alta capacidad de corriente de saturación, mejorando aún más su rendimiento en aplicaciones exigentes.
Transistor
Los MOSFET de canal N son componentes fundamentales en el diseño electrónico, sirviendo como interruptores o amplificadores eficientes en circuitos. Funcionan utilizando un campo eléctrico para controlar la conductividad de un 'canal', en este caso, material semiconductor tipo N, permitiendo o impidiendo el flujo de corriente entre los terminales de drenador y fuente. El terminal de puerta recibe la tensión de control.
Al seleccionar un MOSFET de Canal N, varios factores son importantes: el voltaje máximo drenaje-fuente (VDSS), que indica el voltaje máximo que el MOSFET puede bloquear; la corriente de drenaje (ID), que es la corriente máxima que el dispositivo puede conducir; y el voltaje puerta-fuente (VGSS), que es el rango de voltaje que la puerta puede manejar con seguridad. Además, la resistencia en estado encendido (RDS(on)) es crucial ya que afecta la pérdida de potencia y la eficiencia del MOSFET en su estado conductor.
Las aplicaciones para MOSFETs de Canal N son vastas, abarcando desde la gestión y conversión de energía hasta el control de motores y la amplificación de señales. Su capacidad para conmutar rápidamente y con alta eficiencia los hace adecuados tanto para circuitos analógicos como digitales. Los ingenieros deben considerar los requisitos específicos de su aplicación, incluyendo el manejo de corriente necesario, los niveles de voltaje y la velocidad de conmutación, para seleccionar el MOSFET apropiado.
Además, la gestión térmica es una consideración significativa debido al calor generado durante la operación. La resistencia térmica y la temperatura máxima de unión son especificaciones clave que ayudan a asegurar que el MOSFET opere dentro de límites de temperatura seguros, preservando su fiabilidad y longevidad.