El 2N7002K-T1-GE3 es un MOSFET de canal N de Vishay Siliconix, diseñado para aplicaciones de conmutación rápida. Funciona a una tensión drenador-fuente (VDS) de 60 V, con una corriente de drenador máxima (ID) de 0,3 A. El dispositivo presenta una baja resistencia en estado encendido (RDS(on)) de 2 Ohm cuando VGS es 10 V, lo que contribuye a su eficiencia en el funcionamiento del circuito. Además, cuenta con una baja tensión umbral de 2 V (típica) y una velocidad de conmutación rápida de 25 ns, mejorando su rendimiento en circuitos de alta velocidad.
Este MOSFET está encapsulado en un paquete compacto SOT-23 (TO-236), lo que lo hace adecuado para aplicaciones con limitaciones de espacio. También ofrece baja fuga de entrada y salida, baja capacitancia de entrada de 25pF, y está equipado con protección ESD de 2000V, asegurando fiabilidad en diversas condiciones de operación. El 2N7002K-T1-GE3 está diseñado para aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad y operación de bajo voltaje, lo que lo convierte en una opción ideal para interfaces de nivel lógico directo, controladores, sistemas operados por batería y relés de estado sólido.
MOSFET
Los MOSFETs de Canal N son un tipo de transistor de efecto de campo (FET) ampliamente utilizado en circuitos electrónicos para conmutar y amplificar señales. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal en un material semiconductor. Los MOSFETs de Canal N son particularmente notables por su alta eficiencia y capacidades de conmutación rápida.
Al seleccionar un MOSFET de Canal N, se deben considerar varios parámetros clave, incluyendo el voltaje drenaje-fuente (VDS), voltaje puerta-fuente (VGS), corriente de drenaje continua (ID) y resistencia en encendido (RDS(on)). Estos parámetros determinan la capacidad del dispositivo para manejar voltaje y corriente en aplicaciones específicas. Además, la velocidad de conmutación, representada por los tiempos de encendido y apagado, es crítica para aplicaciones que requieren conmutación rápida.
El voltaje umbral (VGS(th)) es otro factor importante, indicando el voltaje mínimo puerta-fuente requerido para encender el dispositivo. Los voltajes umbral más bajos pueden ser ventajosos en aplicaciones de bajo voltaje. Las capacitancias de entrada y salida afectan la velocidad de conmutación y el consumo de energía durante los eventos de conmutación.
Los MOSFETs de Canal N se utilizan en una amplia gama de aplicaciones, desde la gestión y conversión de energía hasta el procesamiento de señales y circuitos de conmutación de alta velocidad. Su versatilidad y eficiencia los convierten en componentes esenciales en el diseño electrónico moderno.