El PMV55ENEA de Nexperia es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de mejora N-channel de 60V, empleando tecnología MOSFET de trinchera. Empaquetado en un dispositivo de montaje superficial (SMD) de plástico compacto SOT23 (TO-236AB), está diseñado para aplicaciones de PCB de alta densidad. Este MOSFET es notable por su compatibilidad con niveles lógicos, permitiendo que sea conducido directamente por circuitos lógicos sin necesidad de controladores de puerta adicionales.
Con capacidades de conmutación muy rápidas, el PMV55ENEA es ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. También incluye protección integrada contra Descarga Electroestática (ESD) que supera los 2 kV HBM, mejorando su robustez en entornos sensibles. Además, está calificado AEC-Q101, haciéndolo adecuado para aplicaciones automotrices donde la fiabilidad es primordial.
MOSFET
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para conmutar y amplificar señales. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre los terminales de fuente y drenaje. Canal N se refiere al tipo de portador de carga (electrones) que fluye a través del dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, las consideraciones clave incluyen el voltaje de drenaje-fuente (VDS), el voltaje de puerta-fuente (VGS), la corriente de drenaje (ID) y la resistencia en estado activo de drenaje-fuente (RDSon). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar niveles de voltaje y corriente, así como su eficiencia y velocidad en aplicaciones de conmutación.
Los MOSFETs son componentes esenciales en una amplia gama de aplicaciones, desde la gestión y conversión de energía hasta el procesamiento de señales. La elección de la tecnología MOSFET, como el MOSFET de trinchera, influye en las características de rendimiento del dispositivo, incluyendo la velocidad de conmutación, la resistencia en estado activo y la robustez contra sobretensiones.
Para los ingenieros, entender los requisitos específicos de su aplicación es crucial al seleccionar el MOSFET apropiado. Esto incluye considerar el entorno operativo, como rangos de temperatura y la presencia de descargas electrostáticas potenciales, que podrían impactar el rendimiento y fiabilidad del MOSFET.