El 2N7002-7-F es un MOSFET de Modo de Enriquecimiento de Canal N diseñado para ofrecer una baja resistencia en estado encendido (RDS(ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior. Este MOSFET presenta un voltaje máximo drenaje-fuente (VDSS) de 60V, una corriente continua de drenaje (ID) de 210mA y una RDS(ON) máxima de 7.5Ω a un voltaje puerta-fuente (VGS) de 5V. Su diseño está optimizado para una alta eficiencia en aplicaciones de gestión de energía, combinando un bajo voltaje umbral de puerta, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida en un pequeño paquete de montaje superficial SOT-23.
Este componente es adecuado para una variedad de aplicaciones, incluyendo control de motores y funciones de gestión de energía, donde el manejo eficiente de la potencia y el rendimiento confiable son importantes. El 2N7002-7-F es fabricado por Diodes Inc. y cumple totalmente con los estándares RoHS, lo que lo convierte en una opción adecuada para aplicaciones conscientes del medio ambiente.
Transistor
Los MOSFETs de Modo de Enriquecimiento de Canal N se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos por su eficiencia y fiabilidad en aplicaciones de conmutación. Estos componentes funcionan permitiendo que la corriente fluya entre los terminales de drenador y fuente cuando se aplica un voltaje suficiente al terminal de puerta, actuando efectivamente como un interruptor. La designación de Canal N se refiere al tipo de portadores de carga (electrones) que conducen la corriente a través del dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET de Canal N, los ingenieros consideran varios parámetros clave, incluyendo el voltaje drenaje-fuente (VDSS), la corriente de drenaje (ID) y la resistencia estática drenaje-fuente en encendido (RDS(ON)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los requisitos de voltaje y corriente de la aplicación, así como su eficiencia. El voltaje puerta-fuente (VGSS) también es importante, ya que afecta el voltaje requerido para encender y apagar el dispositivo.
En aplicaciones que requieren una gestión eficiente de la energía y una conmutación rápida, la baja RDS(ON) y la velocidad de conmutación rápida del MOSFET son particularmente valiosas. El tamaño pequeño del paquete, como el SOT-23, también es ventajoso para diseños con limitaciones de espacio. Además, el cumplimiento de estándares ambientales como RoHS es a menudo una consideración en la selección de componentes.
En general, los MOSFETs de Canal N como el 2N7002-7-F son esenciales para una amplia gama de aplicaciones, desde control de motores hasta funciones de gestión de energía, donde se requiere una conmutación de potencia eficiente y fiable.