El 2N7002-7-F es un MOSFET de modo de enriquecimiento de canal N diseñado para ofrecer una baja resistencia en estado de conducción (RDS(ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior. Este MOSFET presenta un voltaje máximo de drenador-fuente (VDSS) de 60V, una corriente de drenaje continua (ID) de 210mA y una máxima RDS(ON) de 7.5Ω a un voltaje de puerta-fuente (VGS) de 5V. Su diseño está optimizado para una alta eficiencia en aplicaciones de gestión de potencia, combinando un bajo voltaje de umbral de puerta, baja capacitancia de entrada y velocidad de conmutación rápida en un pequeño paquete de montaje superficial SOT-23.
Este componente es adecuado para una gama de aplicaciones, incluyendo control de motores y funciones de gestión de potencia, donde el manejo eficiente de la potencia y un rendimiento fiable son importantes. El 2N7002-7-F es fabricado por Diodes Inc. y cumple completamente con los estándares RoHS, haciéndolo una elección adecuada para aplicaciones conscientes del medio ambiente.
Transistor
Los MOSFET de modo de mejora N-Channel son ampliamente utilizados en circuitos electrónicos por su eficiencia y fiabilidad en aplicaciones de conmutación. Estos componentes operan permitiendo el flujo de corriente entre los terminales de drenaje y fuente cuando se aplica un voltaje suficiente al terminal de puerta, actuando efectivamente como un interruptor. La designación N-Channel se refiere al tipo de portadores de carga (electrones) que conducen la corriente a través del dispositivo.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros consideran varios parámetros clave, incluyendo el voltaje de drenaje-fuente (VDSS), corriente de drenaje (ID) y resistencia de drenaje-fuente estática en estado encendido (RDS(ON)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los requisitos de voltaje y corriente de la aplicación, así como su eficiencia. El voltaje de puerta-fuente (VGSS) también es importante, ya que afecta el voltaje requerido para activar y desactivar el dispositivo.
En aplicaciones que requieren una gestión de energía eficiente y conmutación rápida, el bajo RDS(ON) y la velocidad de conmutación rápida del MOSFET son particularmente valiosos. El tamaño pequeño del paquete, como el SOT-23, también es ventajoso para diseños con limitaciones de espacio. Además, el cumplimiento con estándares ambientales como RoHS es a menudo una consideración en la selección de componentes.
En general, los MOSFETs N-Channel como el 2N7002-7-F son esenciales para una amplia gama de aplicaciones, desde el control de motores hasta funciones de gestión de potencia, donde se requiere conmutación de potencia eficiente y fiable.