El PMV164ENEAR es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de mejora N-channel que utiliza tecnología MOSFET de trinchera. Está encapsulado en un compacto paquete plástico de Dispositivo Montado en Superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB), lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones donde el espacio es limitado. Este componente está diseñado para operar a niveles lógicos, haciéndolo compatible con interfaces de microcontrolador modernas.
Las características clave del PMV164ENEAR incluyen un rango de temperatura de operación extendido de hasta 175°C y protección incorporada contra Descarga ElectroEstática (ESD) que supera los 2 kV HBM (clase H2). También está calificado AEC-Q101, indicando su idoneidad para su uso en aplicaciones automotrices. Estos atributos, combinados con la baja resistencia en estado activo del dispositivo, lo hacen una elección eficiente para tareas de gestión de energía.
Transistor
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para propósitos de conmutación y amplificación. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre los terminales de drenaje y fuente. La designación de canal N se refiere al tipo de portadores de carga (electrones) que se mueven a través del canal formado entre la fuente y el drenaje.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, las consideraciones importantes incluyen el voltaje máximo de drenador-fuente (VDS), la corriente máxima que puede manejar (ID), el voltaje de puerta-fuente (VGS) y la resistencia en estado activo de drenador-fuente (RDSon). Estos parámetros determinan la idoneidad del dispositivo para aplicaciones específicas, incluyendo su eficiencia y capacidades de manejo de potencia.
Los MOSFETs son integrales para la electrónica moderna, encontrando aplicaciones en la conversión de potencia, control de motores y como componentes clave en varios tipos de interruptores electrónicos. Su capacidad para conmutar rápidamente y con alta eficiencia los hace particularmente valiosos en la gestión de potencia y circuitos digitales.
Para los ingenieros, elegir el MOSFET adecuado implica entender los requisitos específicos de su aplicación, incluyendo el entorno operativo, niveles de potencia y velocidades de conmutación. El empaquetado del dispositivo, características térmicas y cualquier característica adicional como mecanismos de protección integrados también pueden influir en el proceso de selección.