El PMV164ENEAR es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N que utiliza tecnología Trench MOSFET. Está encapsulado en un paquete de plástico compacto SOT23 (TO-236AB) de Montaje Superficial (SMD), haciéndolo adecuado para una amplia gama de aplicaciones donde el espacio es escaso. Este componente está diseñado para operar a niveles lógicos, haciéndolo compatible con interfaces de microcontroladores modernos.
Las características clave del PMV164ENEAR incluyen un rango de temperatura de funcionamiento extendido de hasta 175°C y protección contra Descargas Electrostáticas (ESD) incorporada que supera los 2 kV HBM (clase H2). También está calificado AEC-Q101, lo que indica su idoneidad para su uso en aplicaciones automotrices. Estos atributos, combinados con la baja resistencia en estado encendido del dispositivo, lo convierten en una opción eficiente para tareas de gestión de energía.
Transistor
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para fines de conmutación y amplificación. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre los terminales de drenaje y fuente. La designación de canal N se refiere al tipo de portadores de carga (electrones) que se mueven a través del canal formado entre la fuente y el drenaje.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, las consideraciones importantes incluyen el voltaje máximo drenador-fuente (VDS), la corriente máxima que puede manejar (ID), el voltaje puerta-fuente (VGS) y la resistencia en estado encendido drenador-fuente (RDSon). Estos parámetros determinan la idoneidad del dispositivo para aplicaciones específicas, incluyendo su eficiencia y capacidades de manejo de potencia.
Los MOSFETs son integrales para la electrónica moderna, encontrando aplicaciones en conversión de energía, control de motores y como componentes clave en varios tipos de interruptores electrónicos. Su capacidad para conmutar rápidamente y con alta eficiencia los hace particularmente valiosos en la gestión de energía y circuitos digitales.
Para los ingenieros, elegir el MOSFET correcto implica comprender los requisitos específicos de su aplicación, incluido el entorno operativo, los niveles de potencia y las velocidades de conmutación. El empaquetado del dispositivo, las características térmicas y cualquier característica adicional, como los mecanismos de protección integrados, también pueden influir en el proceso de selección.