El 2N7002LT3G es un MOSFET de canal N de onsemi, diseñado para aplicaciones de señal pequeña y alojado en un compacto encapsulado SOT-23. Este componente ofrece un voltaje de drenador a fuente (VDSS) de 60V y una corriente máxima de drenador (ID) de 115mA, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones de baja potencia. Se caracteriza por su baja resistencia en estado encendido y capacidades de conmutación de alta velocidad. El dispositivo está calificado AEC-Q101, lo que lo hace adecuado para aplicaciones automotrices, y también es libre de plomo, libre de halógenos/BFR y cumple con RoHS, reflejando el compromiso de onsemi con la sostenibilidad ambiental.
El MOSFET presenta una RDS(on) máxima de 7.5Ω a 10V, indicando su eficiencia en conducir corriente con mínima pérdida de potencia. También soporta una corriente de drenaje pulsada (IDM) de hasta 800mA, permitiendo operaciones de corriente más alta transitorias. Las características térmicas del dispositivo aseguran una operación confiable, con una temperatura máxima de unión de 150°C. Sus características dinámicas incluyen una capacitancia de entrada (Ciss) de 50pF, haciéndolo receptivo en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
MOSFET
Los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo de Óxido Metálico-Semiconductor) son un tipo de transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Se caracterizan por sus terminales de puerta, drenaje y fuente. Los MOSFETs de canal N, como el 2N7002LT3G, conducen corriente cuando se aplica un voltaje positivo a la puerta en relación con la fuente, haciéndolos adecuados para una variedad de aplicaciones de conmutación.
Al seleccionar un MOSFET para una aplicación específica, los ingenieros consideran parámetros como el voltaje de drenaje-fuente (VDSS), corriente de drenaje (ID), voltaje de puerta-fuente (VGS) y resistencia de drenaje-fuente estática en estado encendido (RDS(on)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar voltaje y corriente, su eficiencia y su idoneidad para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Las características térmicas también son importantes, ya que afectan la fiabilidad y longevidad del dispositivo bajo diferentes condiciones de operación.
Los MOSFETs son ampliamente utilizados en circuitos de gestión de energía, sistemas de control de motores y en la conmutación de cargas en varios dispositivos electrónicos. Su capacidad para conmutar rápidamente y con alta eficiencia los hace valiosos en la reducción del consumo de energía y la generación de calor en sistemas electrónicos. Además, la elección entre MOSFETs N-Channel y P-Channel depende de los requisitos específicos del circuito, incluyendo la dirección del flujo de corriente y el tipo de carga que se está impulsando.
En general, la selección de un MOSFET implica un análisis cuidadoso de sus características eléctricas, rendimiento térmico y los requisitos específicos de la aplicación. La fiabilidad, eficiencia y cumplimiento con los estándares ambientales también son consideraciones clave en el proceso de selección.