BSS138BK: MOSFET de Trinchera de Canal N, 60 V, 360 mA, paquete SOT23

Nexperia

El BSS138BK de Nexperia es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de mejora N-channel que utiliza tecnología MOSFET de trinchera, empaquetado en un pequeño paquete plástico de Dispositivo de Montaje Superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB). Este componente está diseñado para ofrecer capacidades eficientes de control y conmutación de potencia con un voltaje drenador-fuente de hasta 60 V y una corriente de drenaje continua de hasta 360 mA.

Las características clave del BSS138BK incluyen compatibilidad a nivel lógico, proporcionando facilidad de uso en varios diseños de circuitos, y protección ESD hasta 1.5 kV, asegurando fiabilidad y durabilidad en aplicaciones sensibles. Su capacidad de conmutación muy rápida lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Además, está calificado AEC-Q101, indicando su idoneidad para aplicaciones automotrices.

• Voltaje Drenador-Fuente (VDS): 60 V
• Voltaje Puerta-Fuente (VGS): ±20 V
• Corriente de Drenaje (ID): 360 mA a VGS = 10 V, 25°C
• Resistencia Drenador-Fuente en Estado de Conducción (RDSon): 1 a 1.6 Ω a VGS = 10 V, ID = 350 mA
• Disipación Total de Potencia (Ptot): 350 mW a 25°C
• Temperatura de la Unión (Tj): -55 a 150 °C
• Protección ESD: Hasta 1.5 kV

• Conductor de relé
• Interruptor de carga de lado bajo
• Conductor de línea de alta velocidad
• Circuitos de conmutación

Los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor) son un tipo de FET diseñados para amplificar o conmutar señales electrónicas. Son ampliamente utilizados en dispositivos electrónicos debido a su alta eficiencia, fiabilidad y capacidad para manejar niveles de potencia significativos. Los MOSFETs de canal N, como el BSS138BK, tienen electrones como portadores de carga y son típicamente utilizados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

Al seleccionar un MOSFET para una aplicación particular, los parámetros clave como el voltaje fuente-drenador, el voltaje puerta-fuente, la corriente de drenaje y la disipación de potencia deben ser considerados para asegurar que el componente cumpla con los requisitos del circuito. Además, el tipo de paquete y las características térmicas son factores importantes que afectan el rendimiento y la idoneidad del MOSFET para la aplicación prevista.

Los MOSFETs son integrales en varias aplicaciones, desde la gestión de potencia en dispositivos portátiles hasta el control de motores en sistemas automotrices. Su capacidad para conmutar y controlar la potencia de manera eficiente los hace componentes esenciales en el diseño electrónico moderno. Entender los requisitos específicos de su aplicación, incluyendo los niveles de voltaje y corriente necesarios, así como la velocidad de conmutación deseada, guiará la selección del MOSFET apropiado.