BSS138BK: MOSFET de Trinchera Canal N de 60 V, 360 mA, paquete SOT23

Nexperia

El Nexperia BSS138BK es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N que utiliza tecnología Trench MOSFET, empaquetado en un pequeño paquete de plástico de Dispositivo de Montaje Superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB). Este componente está diseñado para ofrecer un control de potencia eficiente y capacidades de conmutación con un voltaje drenaje-fuente de hasta 60 V y una corriente de drenaje continua de hasta 360 mA.

Las características clave del BSS138BK incluyen compatibilidad a nivel lógico, proporcionando facilidad de uso en varios diseños de circuitos, y protección ESD de hasta 1.5 kV, asegurando fiabilidad y durabilidad en aplicaciones sensibles. Su capacidad de conmutación muy rápida lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Además, está calificado según AEC-Q101, lo que indica su idoneidad para aplicaciones automotrices.

• Voltaje Drenador-Fuente (VDS): 60 V
• Voltaje Puerta-Fuente (VGS): ±20 V
• Corriente de Drenador (ID): 360 mA a VGS = 10 V, 25°C
• Resistencia en Estado Encendido Drenador-Fuente (RDSon): 1 a 1.6 Ω a VGS = 10 V, ID = 350 mA
• Disipación de Potencia Total (Ptot): 350 mW a 25°C
• Temperatura de Unión (Tj): -55 a 150 °C
• Protección ESD: Hasta 1.5 kV

• Controlador de relé
• Interruptor de carga de lado bajo
• Controlador de línea de alta velocidad
• Circuitos de conmutación

Los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor) son un tipo de FET diseñado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Son ampliamente utilizados en dispositivos electrónicos debido a su alta eficiencia, confiabilidad y la capacidad de manejar niveles de potencia significativos. Los MOSFETs de canal N, como el BSS138BK, tienen electrones como portadores de carga y se utilizan típicamente para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

Al seleccionar un MOSFET para una aplicación particular, se deben considerar parámetros clave como la tensión drenador-fuente, la tensión puerta-fuente, la corriente de drenador y la disipación de potencia para asegurar que el componente cumpla con los requisitos del circuito. Además, el tipo de encapsulado y las características térmicas son factores importantes que afectan el rendimiento del MOSFET y su idoneidad para la aplicación prevista.

Los MOSFETs son integrales en diversas aplicaciones, desde la gestión de energía en dispositivos portátiles hasta el control de motores en sistemas automotrices. Su capacidad para conmutar y controlar la energía de manera eficiente los convierte en componentes esenciales en el diseño electrónico moderno. Comprender los requisitos específicos de su aplicación, incluidos los niveles de voltaje y corriente necesarios, así como la velocidad de conmutación deseada, guiará la selección del MOSFET apropiado.