El PMV90ENE de Nexperia es un MOSFET de trinchera de canal N de 30 V, diseñado para su uso en una variedad de aplicaciones que requieren un control y conversión de energía eficientes. Está encapsulado en un paquete de plástico compacto SOT23 (TO-236AB) para montaje en superficie (SMD), utilizando tecnología avanzada de MOSFET de trinchera para lograr un alto rendimiento en un tamaño reducido.
Este MOSFET se caracteriza por su compatibilidad con niveles lógicos, lo que permite que sea impulsado directamente por circuitos lógicos sin la necesidad de componentes de control adicionales. También cuenta con capacidades de conmutación muy rápidas, mejorando su idoneidad para aplicaciones de alta velocidad y alta frecuencia. El dispositivo incluye protección contra Descargas Electrostáticas (ESD) que supera los 2 kV HBM, protegiéndolo contra daños por descargas estáticas.
Transistor
Los MOSFETs de trinchera de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que utilizan una estructura de puerta de trinchera para lograr una mayor densidad y eficiencia en comparación con los MOSFETs planos tradicionales. Estos componentes se utilizan ampliamente en aplicaciones de conversión y gestión de energía debido a su capacidad para controlar eficientemente el flujo de energía en los circuitos.
Al seleccionar un MOSFET Trench de canal N, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje drenaje-fuente (VDS), voltaje puerta-fuente (VGS), corriente de drenaje (ID) y resistencia en estado encendido drenaje-fuente (RDSon). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los niveles de potencia y frecuencias de conmutación requeridos en una aplicación dada.
Además, el tipo de paquete y las características térmicas son consideraciones importantes. El paquete SOT23 es popular por su tamaño compacto, lo que lo hace adecuado para aplicaciones con limitaciones de espacio. La gestión térmica es crucial para prevenir el sobrecalentamiento y asegurar una operación confiable bajo diversas condiciones.
Por último, características como la compatibilidad con niveles lógicos y la protección ESD son beneficiosas para simplificar el diseño del circuito y mejorar la durabilidad del componente.