El PMV90ENE de Nexperia es un MOSFET de trinchera de canal N de 30 V, diseñado para su uso en una variedad de aplicaciones que requieren control y conversión de potencia eficientes. Está encapsulado en un compacto paquete plástico de Dispositivo Montado en Superficie (SMD) SOT23 (TO-236AB), utilizando tecnología avanzada de MOSFET de trinchera para lograr un alto rendimiento en una pequeña huella.
Este MOSFET se caracteriza por su compatibilidad con niveles lógicos, permitiéndole ser conducido directamente por circuitos lógicos sin necesidad de componentes de conducción adicionales. También presenta capacidades de conmutación muy rápidas, mejorando su idoneidad para aplicaciones de alta velocidad y alta frecuencia. El dispositivo incluye protección contra Descarga Electroestática (ESD) que supera los 2 kV HBM, protegiéndolo contra daños por descargas estáticas.
Transistor
Los MOSFETs de Trinchera de Canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que utiliza una estructura de puerta de trinchera para lograr mayor densidad y eficiencia en comparación con los MOSFETs planares tradicionales. Estos componentes son ampliamente utilizados en aplicaciones de conversión y gestión de energía debido a su capacidad para controlar eficientemente el flujo de energía en circuitos.
Al seleccionar un MOSFET de trinchera de canal N, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje fuente-drenaje (VDS), el voltaje puerta-fuente (VGS), la corriente de drenaje (ID) y la resistencia en estado de conducción fuente-drenaje (RDSon). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los niveles de potencia y frecuencias de conmutación requeridos en una aplicación dada.
Además, el tipo de paquete y las características térmicas son consideraciones importantes. El paquete SOT23 es popular por su tamaño compacto, lo que lo hace adecuado para aplicaciones con limitaciones de espacio. La gestión térmica es crucial para prevenir el sobrecalentamiento y asegurar una operación fiable bajo diversas condiciones.
Por último, características como la compatibilidad con niveles lógicos y la protección ESD son beneficiosas para simplificar el diseño del circuito y mejorar la durabilidad del componente.