2N7002ET7G: MOSFET N-Channel, 60V, 310mA, SOT-23, Bajo RDS(on)
onsemi

El 2N7002ET7G es un MOSFET de Canal N de onsemi, diseñado para aplicaciones eficientes de gestión de potencia y conmutación. Cuenta con un voltaje de drenaje a fuente (VDS) de 60V y una corriente de drenaje continua máxima (ID) de 310mA, lo que lo hace adecuado para una variedad de aplicaciones de baja potencia. Este componente utiliza tecnología de trinchera para lograr valores bajos de resistencia en estado encendido (RDS(on)) de 2.5Ω a 10V y 3.0Ω a 4.5V, asegurando una operación eficiente y una disipación de potencia reducida.

Su compacto paquete SOT-23 está optimizado para la tecnología de montaje superficial, permitiendo diseños de PCB de alta densidad. El 2N7002ET7G está calificado AEC-Q101 y es capaz de PPAP, indicando su fiabilidad y adecuación para aplicaciones automotrices. Además, es libre de Pb, libre de halógenos/BFR y cumple con RoHS, haciéndolo una elección amigable con el medio ambiente para diseños electrónicos.

Especificaciones y Características Clave

  • Voltaje Drenaje-Fuente (VDS): 60V
  • Corriente Continua de Drenaje (ID): 310mA
  • Resistencia de Encendido (RDS(on)): 2.5Ω a 10V, 3.0Ω a 4.5V
  • Voltaje Puerta-Fuente (VGS): ±20V
  • Disipación de Potencia: 300mW estado estable, 420mW por <5s
  • Rango de Temperatura de Operación de la Unión: -55°C a +150°C
  • Paquete: SOT-23

2N7002ET7G Hoja de Datos

2N7002ET7G hoja de datos (PDF)

2N7002ET7G Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de 2N7002ET7G, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Interruptor de carga de lado bajo
  • Circuitos de cambio de nivel
  • Convertidores DC-DC
  • Aplicaciones portátiles (por ejemplo, cámaras digitales, PDAs, teléfonos celulares)

Categoría

MOSFET

Información general

Los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo de Semiconductor de Óxido Metálico) son un tipo de transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Son un componente esencial en una amplia gama de dispositivos electrónicos debido a su alta eficiencia y capacidades de conmutación rápida. Los MOSFETs de Canal N, como el 2N7002ET7G, se utilizan típicamente en aplicaciones donde se necesitan controlar corrientes de carga mediante un voltaje aplicado al terminal de puerta.

Al seleccionar un MOSFET para una aplicación particular, varios parámetros son importantes a considerar, incluyendo el voltaje de drenador a fuente (VDS), voltaje de puerta a fuente (VGS), corriente de drenador continua (ID), y resistencia en estado encendido (RDS(on)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los niveles de potencia requeridos y su eficiencia en el circuito.

El tipo de paquete también juega un papel significativo en el rendimiento del componente, particularmente en términos de gestión térmica y huella en el PCB. Para aplicaciones que requieren alta fiabilidad, como automotriz o industrial, también es importante considerar el cumplimiento del componente con estándares de la industria y calificaciones.

En general, la elección de un MOSFET impactará significativamente en el rendimiento, eficiencia y fiabilidad del dispositivo electrónico en el que se utilice. Por lo tanto, un entendimiento profundo de las especificaciones del componente y cómo se alinean con los requisitos de la aplicación es crucial para un diseño óptimo.

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