El PMV230ENEAR es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N encapsulado en un paquete de plástico compacto SOT23 (TO-236AB) de Montaje Superficial (SMD). Utilizando tecnología MOSFET de Trinchera, este componente ofrece un rendimiento mejorado en una variedad de circuitos electrónicos. Su diseño está optimizado para conmutación rápida y compatibilidad con niveles lógicos, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta velocidad.
Este MOSFET está equipado con protección contra descargas electrostáticas (ESD) que supera los 2 kV HBM, asegurando durabilidad contra descargas electrostáticas repentinas. Además, está calificado AEC-Q101, lo que indica su fiabilidad en aplicaciones de grado automotriz. El pequeño factor de forma del PMV230ENEAR combinado con sus robustas características de rendimiento lo convierte en una excelente opción para aplicaciones con limitaciones de espacio que requieren una conmutación eficiente.
MOSFET
Los MOSFETs de canal-N son componentes fundamentales en la ingeniería electrónica, sirviendo como interruptores o amplificadores eficientes en circuitos. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal, permitiendo o impidiendo el flujo de corriente. Los tipos de canal-N, como el PMV230ENEAR, tienen una mayor movilidad de electrones en comparación con los tipos de canal-P, haciéndolos más eficientes para muchas aplicaciones.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, los ingenieros consideran parámetros como el voltaje drenador-fuente, el voltaje puerta-fuente, la corriente de drenaje y la disipación de potencia. Las especificaciones del PMV230ENEAR, incluido su voltaje drenador-fuente de 60V y su capacidad de corriente de drenaje de 1.5A, lo hacen adecuado para una variedad de aplicaciones. Su paquete compacto SOT23 es ventajoso para diseños con limitaciones de espacio.
La tecnología Trench MOSFET, tal como se utiliza en el PMV230ENEAR, ofrece una resistencia en estado encendido reducida y un rendimiento de conmutación mejorado, que son críticos para aplicaciones de alta eficiencia. Además, características como la protección ESD y la calificación de grado automotriz (AEC-Q101) son importantes para aplicaciones que requieren alta fiabilidad y robustez.
En general, la selección de un MOSFET de canal N implica un equilibrio entre las especificaciones eléctricas, el empaquetado y características adicionales como la protección ESD. La combinación de alto rendimiento, empaquetado compacto y características de confiabilidad del PMV230ENEAR lo convierten en una excelente opción para ingenieros que diseñan sistemas electrónicos.