SQ2364EES-T1_GE3: MOSFET de canal N automotriz de 60 V, 175 °C, SOT-23
Vishay

El SQ2364EES-T1_GE3 de Vishay es un MOSFET de Canal N diseñado para aplicaciones automotrices, encapsulado en un paquete compacto SOT-23. Este componente se caracteriza por su capacidad de operar a altas temperaturas hasta 175 °C, haciéndolo adecuado para entornos exigentes. Está calificado AEC-Q101, asegurando fiabilidad y rendimiento de grado automotriz. El MOSFET presenta la tecnología TrenchFET®, proporcionando eficiencia mejorada y reducción de la resistencia en estado activo.

Los atributos clave incluyen un voltaje de drenador-fuente (VDS) de 60 V y una corriente de drenaje continua (ID) de 2 A a 25 °C, con la capacidad de manejar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 8 A. También ofrece una robusta protección ESD de hasta 800 V. La baja resistencia en estado encendido (RDS(on)) a varios voltajes de puerta-fuente destaca su eficiencia en la conducción de corriente. Además, está 100% probado en Rg y UIS, asegurando un rendimiento consistente en todas las unidades.

Especificaciones y Características Clave

  • Voltaje Drenador-Fuente (VDS): 60 V
  • Voltaje Puerta-Fuente (VGS): ± 8 V
  • Corriente de Drenaje Continua (ID) @ 25 °C: 2 A
  • Corriente de Drenaje Pulsada (IDM): 8 A
  • RDS(on) @ VGS = 1.5 V: 0.245 Ω
  • Disipación Máxima de Potencia @ 25 °C: 3 W
  • Rango de Temperatura de Operación de la Unión: -55 a +175 °C
  • Empaque: SOT-23

SQ2364EES-T1_GE3 Hoja de Datos

SQ2364EES-T1_GE3 hoja de datos (PDF)

SQ2364EES-T1_GE3 Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de SQ2364EES-T1_GE3, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Electrónica automotriz
  • Sistemas de gestión de energía
  • Aplicaciones de alta temperatura

Categoría

MOSFET

Información general

Los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor) son un tipo de transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Son ampliamente utilizados en dispositivos electrónicos debido a su alta eficiencia, fiabilidad y capacidad para manejar niveles significativos de potencia. Los MOSFETs de Canal N, en particular, son preferidos por su alta movilidad de electrones y facilidad de integración en varios circuitos.

Al seleccionar un MOSFET para una aplicación específica, se deben considerar varios factores, incluyendo el voltaje drenaje-fuente (VDS), voltaje puerta-fuente (VGS), corriente de drenaje continua (ID), y la resistencia en encendido (RDS(on)). Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los niveles de potencia requeridos y su eficiencia en el circuito. El tipo de paquete también juega un papel crucial en la gestión térmica del dispositivo.

Los MOSFETs son integrales en sistemas de conversión y gestión de energía, ofreciendo soluciones para una distribución de energía eficiente. Son especialmente valiosos en aplicaciones que requieren conmutación de alta velocidad, bajo consumo de energía y tamaño compacto. Las aplicaciones automotrices a menudo demandan MOSFETs que puedan operar de manera confiable bajo condiciones difíciles, incluyendo altas temperaturas y voltajes.

El MOSFET SQ2364EES-T1_GE3 de Vishay, con su alta tolerancia a la temperatura y calificación automotriz, ejemplifica los avances en la tecnología MOSFET, atendiendo a las exigentes demandas de la electrónica automotriz y los sistemas de gestión de energía.

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