El PMV120ENEA es un Transistor de Efecto de Campo (FET) de modo de enriquecimiento de canal N que utiliza tecnología Trench MOSFET, alojado en un encapsulado de plástico compacto SOT23 (TO-236AB) de Montaje Superficial (SMD). Este componente está diseñado para una gestión eficiente de la energía dentro de los circuitos electrónicos, ofreciendo capacidades de conmutación rápida y compatibilidad con niveles lógicos, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de aplicaciones.
Las características clave incluyen protección contra Descargas Electrostáticas (ESD) que supera los 2 kV según el Modelo de Cuerpo Humano (HBM), asegurando robustez y fiabilidad en entornos difíciles. Además, el PMV120ENEA está calificado según AEC-Q101, lo que indica su idoneidad para aplicaciones automotrices. Su tecnología Trench MOSFET permite un rendimiento mejorado en términos de eficiencia energética y gestión térmica en comparación con los MOSFETs tradicionales.
MOSFET
Los MOSFETs de canal N son un tipo de Transistor de Efecto de Campo (FET) que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para conmutar y amplificar señales. Operan utilizando un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente entre los terminales de fuente y drenaje. La designación de canal N se refiere al uso de electrones cargados negativamente como portadores de carga.
Al seleccionar un MOSFET de canal N, se deben considerar varios parámetros clave, incluyendo el voltaje drenador-fuente, el voltaje puerta-fuente, la corriente de drenaje y la resistencia en estado encendido. Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar niveles de voltaje y corriente, así como su eficiencia y rendimiento térmico.
Los MOSFETs son componentes esenciales en la gestión de energía, el control de cargas y las aplicaciones de conmutación de señales. Su rápida velocidad de conmutación, alta eficiencia y capacidad para manejar niveles de potencia significativos los hacen adecuados para una amplia gama de aplicaciones, desde electrónica de consumo hasta sistemas automotrices.
La tecnología Trench MOSFET, tal como se utiliza en el PMV120ENEA, ofrece un rendimiento mejorado al reducir la resistencia en estado encendido y mejorar las características térmicas, lo que lleva a un uso de energía más eficiente y una generación de calor reducida. Esta tecnología es particularmente beneficiosa en aplicaciones que requieren alta densidad de potencia y eficiencia.