O T2N7002BK da Toshiba é um Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) de Canal N de silício, projetado para aplicações de comutação de alta velocidade. Ele é encapsulado em um pacote SOT23 compacto, tornando-o adequado para aplicações com restrição de espaço. Este MOSFET apresenta baixos valores de resistência dreno-fonte (RDS(ON)), com valores típicos de 1,05 Ω a VGS = 10 V, 1,15 Ω a VGS = 5,0 V e 1,2 Ω a VGS = 4,5 V, proporcionando operação eficiente e minimizando perdas de energia durante a operação.
O T2N7002BK suporta uma tensão dreno-fonte (VDSS) de até 60 V e pode lidar com correntes de dreno contínuas (ID) de até 400 mA, com correntes de dreno pulsadas (IDP) de até 1200 mA. Seu design robusto inclui recursos para garantir confiabilidade e durabilidade sob várias condições operacionais, incluindo uma faixa de temperatura de canal de até 150°C. O dispositivo também oferece tempos de comutação rápidos e baixa carga de gate, tornando-o adequado para aplicações de alta frequência. É importante notar que, como todos os MOSFETs, o T2N7002BK é sensível a descargas eletrostáticas e deve ser manuseado com as precauções apropriadas.
MOSFET
MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor) são um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são um componente essencial em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos devido à sua alta eficiência e capacidades de comutação rápida. MOSFETs de Canal N, como o T2N7002BK, são tipicamente usados em aplicações que requerem gerenciamento eficiente de energia e comutação de alta velocidade.
Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, vários parâmetros-chave devem ser considerados, incluindo a tensão dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID), dissipação de potência (PD) e resistência dreno-fonte ligado (RDS(ON)). A tensão de limiar da porta (Vth) e a carga da porta também são fatores importantes que afetam o desempenho de comutação e a eficiência do MOSFET.
MOSFETs são amplamente utilizados em aplicações de conversão e gerenciamento de energia, incluindo conversores DC-DC, fontes de alimentação e circuitos de controle de motor. Sua capacidade de comutar eficientemente em altas velocidades os torna adequados para aplicações de alta frequência. No entanto, é importante considerar o gerenciamento térmico e a sensibilidade à descarga eletrostática (ESD) dos MOSFETs durante o projeto e manuseio.
No geral, a seleção de um MOSFET deve ser baseada em uma compreensão completa dos requisitos da aplicação e uma revisão cuidadosa das especificações do componente. Isso garante desempenho e confiabilidade ideais no projeto eletrônico final.