O 2N7002-T1-E3 é um MOSFET N-Channel produzido pela Vishay, projetado para gerenciamento eficiente de energia e aplicações de comutação de alta velocidade. Este componente é caracterizado por sua capacidade de lidar com uma tensão de dreno-fonte (VDS) de até 60V, com uma tensão de limiar de porta-fonte (VGS(th)) variando de 1 a 2.5V. A corrente de dreno contínua máxima (ID) que pode suportar é de 0.115A, tornando-o adequado para aplicações de corrente baixa a moderada.
Principais características do 2N7002-T1-E3 incluem sua baixa resistência no estado ligado e velocidade de comutação rápida, contribuindo para a redução da perda de potência e melhoria da eficiência em circuitos eletrônicos. O dispositivo é embalado em um compacto formato SOT-23, oferecendo um equilíbrio entre desempenho e tamanho, tornando-o ideal para aplicações com limitações de espaço. Seu design robusto garante confiabilidade e longevidade, mesmo sob condições operacionais desafiadoras.
Transistor
MOSFETs de Canal N são um tipo de transistor de efeito de campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam utilizando um campo elétrico para controlar a condutividade de um canal, permitindo o gerenciamento eficiente de potência e comutação de alta velocidade. A designação 'Canal N' refere-se ao tipo de portador de carga (elétrons) que flui através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, os engenheiros consideram vários parâmetros-chave, incluindo a tensão dreno-fonte (VDS), a tensão de limiar porta-fonte (VGS(th)) e a corrente contínua de dreno (ID). Esses parâmetros determinam a adequação do MOSFET para aplicações específicas, desde conversão de potência até amplificação de sinal.
As vantagens do uso de MOSFETs N-Channel incluem sua alta eficiência, velocidade de comutação rápida e baixa resistência no estado ligado, que contribuem para a redução da perda de potência e geração de calor. No entanto, é importante garantir que as especificações do MOSFET correspondam aos requisitos da aplicação pretendida, incluindo a tensão de operação, capacidade de corrente e frequência de comutação.
Além das especificações elétricas, embalagem e gerenciamento térmico também são considerações importantes. O tipo de pacote afeta a resistência térmica do MOSFET e, consequentemente, sua capacidade de dissipar calor. Um gerenciamento térmico adequado é crucial para manter o desempenho e a confiabilidade do dispositivo ao longo do tempo.