O 2N7002-T1-E3 é um MOSFET de Canal N produzido pela Vishay, projetado para gerenciamento eficiente de energia e aplicações de comutação de alta velocidade. Este componente é caracterizado por sua capacidade de lidar com uma tensão dreno-fonte (VDS) de até 60V, com uma tensão de limiar porta-fonte (VGS(th)) variando de 1 a 2,5V. A corrente de dreno contínua máxima (ID) que ele pode suportar é de 0,115A, tornando-o adequado para aplicações de corrente baixa a moderada.
As principais características do 2N7002-T1-E3 incluem sua baixa resistência no estado ligado (on-resistance) e velocidade de comutação rápida, contribuindo para a redução da perda de energia e melhoria da eficiência em circuitos eletrônicos. O dispositivo é embalado em um formato compacto SOT-23, oferecendo um equilíbrio entre desempenho e tamanho, tornando-o ideal para aplicações com restrição de espaço. Seu design robusto garante confiabilidade e longevidade, mesmo sob condições operacionais desafiadoras.
Transistor
MOSFETs de Canal N são um tipo de transistor de efeito de campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam utilizando um campo elétrico para controlar a condutividade de um canal, permitindo um gerenciamento eficiente de energia e comutação de alta velocidade. A designação 'Canal N' refere-se ao tipo de portador de carga (elétrons) que flui através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, os engenheiros consideram vários parâmetros-chave, incluindo a tensão dreno-fonte (VDS), a tensão de limiar porta-fonte (VGS(th)) e a corrente de dreno contínua (ID). Esses parâmetros determinam a adequação do MOSFET para aplicações específicas, desde conversão de energia até amplificação de sinal.
As vantagens de usar MOSFETs de Canal N incluem sua alta eficiência, velocidade de comutação rápida e baixa resistência no estado ligado (on-resistance), o que contribui para a redução da perda de energia e geração de calor. No entanto, é importante garantir que as especificações do MOSFET correspondam aos requisitos da aplicação pretendida, incluindo a tensão de operação, capacidade de corrente e frequência de comutação.
Além das especificações elétricas, o encapsulamento e o gerenciamento térmico também são considerações importantes. O tipo de encapsulamento afeta a resistência térmica do MOSFET e, consequentemente, sua capacidade de dissipar calor. O gerenciamento térmico adequado é crucial para manter o desempenho e a confiabilidade do dispositivo ao longo do tempo.