2N7002K: MOSFET Canal N, 60V, 380mA, SOT-23, Protegido contra ESD
onsemi

O 2N7002K é um MOSFET de Canal N desenvolvido pela onsemi, apresentando uma tensão dreno-fonte (VDSS) de 60V e uma corrente máxima de dreno (ID) de 380mA. Este componente é alojado em um pacote compacto SOT-23, tornando-o adequado para aplicações de tecnologia de montagem em superfície (SMT). Uma das principais características deste MOSFET é sua proteção ESD, aumentando sua confiabilidade em aplicações sensíveis.

Projetado para uso em uma variedade de circuitos, o 2N7002K se destaca em funções como chave de carga de lado baixo, circuitos de deslocamento de nível e conversores DC-DC. Também é adequado para aplicações portáteis, incluindo câmeras digitais, PDAs, telefones celulares e muito mais. O componente é qualificado AEC-Q101 e capaz de PPAP, indicando sua adequação para aplicações automotivas e outros cenários que exigem rigorosos padrões de qualidade e confiabilidade.

Principais Especificações e Recursos

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 60V
  • Corrente Máxima de Dreno (ID): 380mA a 25°C
  • RDS(on): 1.6Ω a 10V, 2.5Ω a 4.5V
  • Tensão Porta-Fonte (VGS): ±20V
  • Corrente de Dreno Pulsada (IDM): 5.0A
  • Dissipação de Potência: 420mW com pad de 1 pol. quadrada, 300mW com pad mínimo
  • Faixa de Temperatura de Junção Operacional e Armazenamento: -55°C a +150°C
  • Proteção ESD: 2000V

Datasheet 2N7002K

Datasheet 2N7002K (PDF)

2N7002K Substitutos
Componentes alternativos equivalentes que podem servir como substitutos para 2N7002K, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Chave de carga de lado baixo
  • Circuitos de deslocamento de nível
  • Conversor CC-CC
  • Aplicações portáteis (por exemplo, câmeras digitais, PDAs, telefones celulares)

Categoria

Transistores

Informações gerais

MOSFETs de Canal N são um componente crítico em circuitos eletrônicos, atuando como interruptores ou amplificadores. Eles permitem o controle sobre circuitos de alta potência com um sinal de baixa tensão, tornando-os indispensáveis em gerenciamento de energia, processamento de sinal e aplicações de controle. Ao selecionar um MOSFET de Canal N, considerações importantes incluem a tensão dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID), RDS(on) e tipo de encapsulamento.

O MOSFET 2N7002K da onsemi é notável por seu pacote compacto SOT-23 e proteção ESD, oferecendo uma mistura de desempenho e confiabilidade. Seu baixo RDS(on) garante operação eficiente, enquanto a proteção ESD aumenta sua durabilidade em ambientes sensíveis. Adequado tanto para aplicações automotivas quanto para dispositivos portáteis, este MOSFET é uma escolha versátil para engenheiros.

Ao escolher um MOSFET, os engenheiros também devem considerar as características térmicas e a dissipação de potência para garantir que o componente opere dentro de sua área de operação segura (SOA). As características térmicas do 2N7002K o tornam adequado para aplicações onde o espaço é limitado e o gerenciamento de calor é uma preocupação.

No geral, o 2N7002K representa uma opção confiável, eficiente e versátil para uma ampla gama de aplicações, desde sistemas automotivos até eletrônicos portáteis, tornando-o um componente valioso no kit de ferramentas do engenheiro.

Índice de Popularidade PartsBox

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