O 2N7002KT1G da onsemi é um MOSFET de Canal N para pequenos sinais projetado para aplicações de alta eficiência. Embalado em um formato compacto SOT-23, este MOSFET suporta uma tensão dreno-fonte (VDSS) de até 60V e uma corrente máxima de dreno (ID) de 380mA. É caracterizado por uma baixa resistência no estado ligado (RDS(on)) que varia entre 1,6Ω a 10V e 2,5Ω a 4,5V, melhorando a eficiência geral do componente em projetos de circuitos.
Este componente é projetado com proteção contra descarga eletrostática (ESD), garantindo confiabilidade e durabilidade em aplicações sensíveis. Seu baixo RDS(on) contribui para a redução da dissipação de potência, tornando-o adequado para aplicações onde a eficiência energética é crítica. O 2N7002KT1G é qualificado AEC-Q101 e capaz de PPAP, tornando-o adequado para aplicações automotivas e outros cenários que exigem rigorosos padrões de qualidade e confiabilidade.
MOSFET
MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor) são um componente fundamental em circuitos eletrônicos, atuando como interruptores ou amplificadores. Eles são preferidos por sua alta eficiência, velocidades de comutação rápidas e facilidade de integração em vários projetos de circuitos. MOSFETs de Canal N, em particular, são amplamente utilizados em aplicações de conversão e gerenciamento de energia devido à sua capacidade de lidar eficientemente com níveis significativos de potência.
Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, os engenheiros consideram parâmetros como a tensão dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID) e resistência no estado ligado (RDS(on)). O parâmetro VDSS indica a tensão máxima que o MOSFET pode bloquear quando desligado, enquanto o parâmetro ID especifica a corrente máxima que ele pode suportar quando ligado. O valor RDS(on) é crítico para avaliar as perdas de potência durante a operação, com valores mais baixos indicando maior eficiência.
Além desses parâmetros, o tipo de pacote e as características térmicas também são considerações importantes, pois afetam a capacidade do MOSFET de dissipar calor e manter o desempenho sob várias condições de operação. Recursos de proteção como resistência a ESD também são cruciais para garantir a confiabilidade e longevidade do componente em aplicações sensíveis.
O MOSFET 2N7002KT1G da onsemi exemplifica essas considerações, oferecendo um equilíbrio de desempenho, eficiência e confiabilidade para uma ampla gama de aplicações, incluindo dispositivos automotivos e portáteis.