O 2N7002P,235 da Nexperia é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de aprimoramento de canal N que utiliza a tecnologia Trench MOSFET. Embalado em um pequeno pacote plástico de dispositivo montado em superfície (SMD) SOT23 (TO-236AB), oferece uma solução compacta para várias aplicações. Este componente é projetado para operar como um driver de linha de alta velocidade, driver de relé, interruptor de carga de lado baixo e em circuitos de comutação, entre outras aplicações.
Ele apresenta uma tensão dreno-fonte (VDS) de 60 V, uma faixa de tensão porta-fonte (VGS) de -20 a 20 V e uma corrente de dreno contínua (ID) de até 360 mA a 25°C. O dispositivo é caracterizado por suas capacidades de comutação rápida e compatibilidade de nível lógico, tornando-o adequado para uma ampla gama de circuitos eletrônicos. O 2N7002P,235 também é qualificado pela AEC-Q101, indicando sua confiabilidade para aplicações automotivas.
Transistor
MOSFETs de canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de dreno e fonte, que é modulado pela tensão aplicada ao terminal da porta (gate). Canal N refere-se ao tipo de portador de carga (elétrons) que conduz corrente no dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, vários parâmetros-chave devem ser considerados, incluindo a tensão dreno-fonte (VDS), tensão porta-fonte (VGS) e corrente de dreno (ID). Esses parâmetros determinam a capacidade de manuseio de potência e a eficiência do MOSFET em um circuito. A resistência no estado ligado (RDSon) também é um fator importante, pois afeta a perda de potência e a geração de calor quando o MOSFET está conduzindo.
As aplicações dos MOSFETs de canal N são diversas, variando desde o gerenciamento de energia em dispositivos portáteis até o acionamento de motores em aplicações industriais. Suas capacidades de comutação rápida os tornam adequados para aplicações de comutação de alta velocidade, como em conversores de potência e inversores.
Os engenheiros também devem considerar as características térmicas do MOSFET, incluindo a resistência térmica e a temperatura máxima de junção, para garantir uma operação confiável sob várias condições de operação. Opções de encapsulamento, como o pacote SOT23, oferecem uma solução compacta para aplicações com restrição de espaço.