O 2N7002P,235 da Nexperia é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de realce N-channel que utiliza a tecnologia Trench MOSFET. Embalado em um pequeno pacote plástico de dispositivo montado em superfície (SMD) SOT23 (TO-236AB), oferece uma solução compacta para várias aplicações. Este componente é projetado para operar como um driver de linha de alta velocidade, driver de relé, chave de carga de baixo lado e em circuitos de comutação, entre outras aplicações.
Ele apresenta uma tensão de dreno-fonte (VDS) de 60 V, uma faixa de tensão de porta-fonte (VGS) de -20 a 20 V, e uma corrente de dreno contínua (ID) de até 360 mA a 25°C. O dispositivo é caracterizado por suas capacidades de comutação rápida e compatibilidade com nível lógico, tornando-o adequado para uma ampla gama de circuitos eletrônicos. O 2N7002P,235 também é qualificado pela AEC-Q101, indicando sua confiabilidade para aplicações automotivas.
Transistor
MOSFETs de Canal-N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) amplamente usados em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de dreno e fonte, que é modulado pela tensão aplicada ao terminal de porta. Canal-N refere-se ao tipo de portador de carga (elétrons) que conduz corrente no dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET N-channel, vários parâmetros-chave devem ser considerados, incluindo a tensão dreno-fonte (VDS), tensão porta-fonte (VGS) e corrente de dreno (ID). Esses parâmetros determinam a capacidade de manuseio de potência e eficiência do MOSFET em um circuito. A resistência no estado ligado (RDSon) também é um fator importante, pois afeta a perda de potência e geração de calor quando o MOSFET está conduzindo.
Aplicações de MOSFETs N-channel são diversas, variando desde gerenciamento de energia em dispositivos portáteis até acionamento de motores em aplicações industriais. Suas capacidades de comutação rápida os tornam adequados para aplicações de comutação de alta velocidade, como em conversores e inversores de energia.
Os engenheiros também devem considerar as características térmicas do MOSFET, incluindo a resistência térmica e a temperatura máxima da junção, para garantir a operação confiável sob várias condições de operação. Opções de embalagem, como o pacote SOT23, oferecem uma solução compacta para aplicações com limitações de espaço.