IRLML2060TRPBF: MOSFET de Potência HEXFET, 60V, 1.2A, RDS(on) máx 480mΩ @ 10V
Infineon

O IRLML2060TRPBF é um MOSFET de Potência HEXFET projetado pela Infineon para gerenciamento eficiente de energia em circuitos eletrônicos. Ele opera a uma tensão dreno-fonte (VDS) de 60V e pode lidar com uma corrente de dreno contínua (ID) de 1,2A a uma tensão porta-fonte (VGS) de 10V. O dispositivo apresenta uma resistência estática máxima dreno-fonte ligado (RDS(on)) de 480mΩ a VGS = 10V, aumentando para 640mΩ a VGS = 4,5V, garantindo operação eficiente com perda mínima de energia.

Este MOSFET é compatível com técnicas de montagem em superfície existentes, facilitando sua incorporação em vários projetos. Ele é projetado com uma pinagem padrão da indústria, garantindo compatibilidade com vários fornecedores. Sua conformidade com RoHS indica que não contém chumbo, brometo ou halogênio, tornando-o uma escolha ecologicamente correta para aplicações de comutação de energia. O IRLML2060TRPBF é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo interruptores de carga/sistema, devido ao seu desempenho robusto e confiabilidade.

Principais Especificações e Recursos

  • VDS (Tensão Dreno-Fonte): 60V
  • ID (Corrente Contínua de Dreno) @ TA = 25°C: 1,2A
  • RDS(on) (Resistência Estática Dreno-Fonte Ligado) @ VGS = 10V: 480mΩ
  • VGS (Tensão Porta-Fonte) Máx: ±16V
  • PD (Dissipação Máxima de Potência) @ TA = 25°C: 1,25W
  • TJ, TSTG (Faixa de Temperatura de Junção e Armazenamento): -55 a +150°C

Datasheet IRLML2060TRPBF

Datasheet IRLML2060TRPBF (PDF)

IRLML2060TRPBF Substitutos
Componentes alternativos equivalentes que podem servir como substitutos para IRLML2060TRPBF, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Interruptor de Carga/Sistema

Categoria

MOSFET de Potência

Informações gerais

MOSFETs de Potência são componentes fundamentais em circuitos eletrônicos para controlar o fluxo de energia elétrica. Eles operam como interruptores ou amplificadores, gerenciando eficientemente a distribuição de energia em uma ampla gama de aplicações, desde eletrônicos de consumo até sistemas industriais. Ao escolher um MOSFET de Potência, considerações importantes incluem a tensão máxima dreno-fonte (VDS), a corrente de dreno contínua (ID), a tensão porta-fonte (VGS) e a resistência estática dreno-fonte ligada (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência necessários com perdas mínimas.

O IRLML2060TRPBF, projetado pela Infineon, exemplifica um MOSFET de Potência de alto desempenho adequado para aplicações de comutação de carga/sistema. Ele apresenta uma baixa resistência no estado ligado (on-resistance), garantindo gerenciamento eficiente de energia e geração mínima de calor. Os engenheiros também devem considerar o tipo de encapsulamento para gerenciamento térmico e compatibilidade com processos de fabricação existentes. Além disso, a conformidade ambiental, como RoHS, é crucial para garantir a adequação do componente aos mercados globais. Em resumo, selecionar o MOSFET de Potência certo envolve equilibrar desempenho, eficiência, gerenciamento térmico e conformidade com os padrões ambientais.

Índice de Popularidade PartsBox

  • Negócio: 3/10
  • Hobby: 2/10

Banco de Dados de Componentes Eletrônicos

Popular electronic components