2N7002K-7: MOSFET de Modo de Enriquecimento de Canal N, 60V, 380mA, SOT23
Diodes Inc.

O 2N7002K-7 da Diodes Inc. é um MOSFET de Modo de Enriquecimento N-Channel projetado para aplicações eficientes de gerenciamento de energia e controle de motores. Ele vem em um compacto encapsulamento SOT23, tornando-o adequado para layouts de PCB de alta densidade. Este MOSFET é caracterizado por sua baixa resistência no estado ligado (RDS(ON)) e capacidades de comutação rápidas, que são cruciais para minimizar perdas de potência e melhorar a eficiência geral do sistema.

Com uma tensão máxima de dreno-fonte (VDSS) de 60V e uma capacidade de corrente de dreno contínua (ID) de até 380mA a 25°C, o 2N7002K-7 é bem adequado para uma ampla gama de aplicações. Ele também apresenta baixas correntes de entrada e saída, garantindo um desperdício mínimo de energia quando no estado desligado. O dispositivo é protegido contra ESD até 2kV, proporcionando confiabilidade e robustez adicionais em ambientes severos.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 60V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID): 380mA a 25°C
  • Resistência Estática Dreno-Fonte (RDS(ON)): 2Ω a VGS = 10V
  • Tensão Porta-Fonte (VGSS): ±20V
  • Dissipação Máxima de Potência (PD): 370mW
  • Faixa de Temperatura Operacional: -55 a +150°C
  • Encapsulamento: SOT23

2N7002K-7 Datasheet

2N7002K-7 folha de dados (PDF)

2N7002K-7 Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para 2N7002K-7, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Controle de Motores
  • Funções de Gerenciamento de Energia
  • Retroiluminação

Categoria

MOSFET

Informações gerais

MOSFETs de Modo de Enriquecimento de Canal N são dispositivos semicondutores amplamente utilizados em circuitos eletrônicos para fins de comutação e amplificação. Esses componentes operam utilizando um campo elétrico para controlar a condutividade de um canal em um material semicondutor, permitindo ou bloqueando o fluxo de corrente.

Ao selecionar um MOSFET de canal N, engenheiros devem considerar vários parâmetros chave como a tensão de dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno contínua (ID) e resistência de dreno-fonte estática (RDS(ON)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de tensão e corrente em uma dada aplicação, bem como sua eficiência e desempenho térmico.

Além disso, a velocidade de comutação, a capacitância de entrada e o tipo de embalagem também são fatores importantes. Velocidades de comutação rápidas são desejáveis para reduzir as perdas de comutação, enquanto uma baixa capacitância de entrada ajuda a alcançar frequências de operação mais altas. O tipo de embalagem influencia o gerenciamento térmico e a integração física do MOSFET no circuito.

Os MOSFETs de canal N são comumente usados em circuitos de fonte de alimentação, aplicações de controle de motores e como elementos de comutação em diversos dispositivos eletrônicos. Sua capacidade de controlar eficientemente altas correntes e tensões, minimizando perdas de potência, os torna componentes essenciais no design eletrônico moderno.

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