O 2N7002 é um MOSFET de Canal N de pequeno sinal projetado e fabricado pela onsemi. Utilizando a tecnologia DMOS de alta densidade de células da onsemi, este MOSFET é projetado para fornecer baixa resistência no estado ligado, mantendo alto desempenho de comutação e confiabilidade. É particularmente adequado para aplicações de baixa tensão e baixa corrente, oferecendo uma solução eficiente para acionamento de gate de MOSFET de potência e outras operações de comutação.
O componente é encapsulado em um pacote SOT-23, fornecendo um tamanho compacto adequado para vários projetos eletrônicos. Seu design visa aplicações que exigem gerenciamento e controle de energia eficientes, como controle de servo motor, onde suas capacidades de comutação rápida e robustez são benéficas. O dispositivo também é notável por sua alta capacidade de corrente de saturação, melhorando ainda mais seu desempenho em aplicações exigentes.
Transistor
MOSFETs de Canal N são componentes fundamentais no design eletrônico, servindo como interruptores ou amplificadores eficientes em circuitos. Eles operam usando um campo elétrico para controlar a condutividade de um 'canal', neste caso, material semicondutor do tipo N, permitindo ou impedindo o fluxo de corrente entre os terminais de dreno e fonte. O terminal da porta recebe a tensão de controle.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, vários fatores são importantes: a tensão máxima dreno-fonte (VDSS), que indica a tensão máxima que o MOSFET pode bloquear; a corrente de dreno (ID), que é a corrente máxima que o dispositivo pode conduzir; e a tensão porta-fonte (VGSS), que é a faixa de tensão que a porta pode suportar com segurança. Além disso, a resistência no estado ligado (RDS(on)) é crucial, pois afeta a perda de potência e a eficiência do MOSFET em seu estado de condução.
As aplicações para MOSFETs de Canal N são vastas, variando de gerenciamento e conversão de energia a controle de motores e amplificação de sinais. Sua capacidade de comutar rapidamente e com alta eficiência os torna adequados para circuitos analógicos e digitais. Os engenheiros devem considerar os requisitos específicos de sua aplicação, incluindo o manuseio de corrente necessário, níveis de tensão e velocidade de comutação, para selecionar o MOSFET apropriado.
Além disso, o gerenciamento térmico é uma consideração significativa devido ao calor gerado durante a operação. A resistência térmica e a temperatura máxima da junção são especificações chave que ajudam a garantir que o MOSFET opere dentro de limites de temperatura seguros, preservando sua confiabilidade e longevidade.