O 2N7002BK da Nexperia é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de aprimoramento de canal N que utiliza a tecnologia Trench MOSFET. Ele é embalado em um pacote plástico compacto SOT23 (TO-236AB) para Dispositivo Montado em Superfície (SMD), projetado para aplicações de nível lógico com capacidades de comutação muito rápidas. O componente é equipado com proteção ESD de até 2 kV, garantindo desempenho robusto em várias aplicações.
Este MOSFET é caracterizado por uma tensão dreno-fonte (VDS) de 60 V e uma corrente de dreno (ID) de 350 mA a 25°C, com uma tensão porta-fonte (VGS) de ±20 V. A resistência no estado ligado dreno-fonte (RDSon) é especificada entre 1 e 1.6 Ω a uma tensão porta-fonte de 10 V e uma corrente de dreno de 500 mA. Suas características térmicas e parâmetros dinâmicos, incluindo carga total da porta e capacitância de entrada/saída, são otimizados para aplicações de comutação de alta velocidade.
MOSFET
MOSFETs de canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) que são predominantemente usados para comutação e amplificação de sinais eletrônicos em vários tipos de dispositivos eletrônicos. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno. Canal N refere-se ao tipo de portador de carga (elétrons) que flui através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão dreno-fonte (VDS), corrente de dreno (ID), tensão porta-fonte (VGS) e a resistência no estado ligado dreno-fonte (RDSon). Outros fatores importantes incluem as capacidades de dissipação de potência do dispositivo, resistência térmica e quaisquer recursos de proteção, como proteção contra ESD.
MOSFETs são essenciais no projeto de circuitos de fonte de alimentação, circuitos de controle de motor e como interruptores em vários dispositivos eletrônicos. Sua capacidade de comutar rapidamente os torna adequados para aplicações de alta velocidade e alta frequência. A escolha do encapsulamento (por exemplo, SOT23) também é crucial, afetando o gerenciamento térmico e o espaço ocupado geral do componente em um projeto de circuito.
No geral, a seleção de um MOSFET de canal N deve ser guiada pelos requisitos específicos da aplicação, incluindo a tensão de operação e os níveis de corrente, velocidade de comutação, considerações térmicas e restrições de embalagem.