2N7002H6327XTSA2: MOSFET de Canal N, 60V, 0,3A, RDS(on) máx 3Ω, Nível Lógico, Comutação Rápida
Infineon

O 2N7002H6327XTSA2 da Infineon é um MOSFET de canal N de modo de realce projetado para aplicações de comutação de alta velocidade. Este componente opera com uma tensão máxima de dreno-fonte (VDS) de 60V e pode lidar com correntes de dreno contínuas (ID) de até 0.3A a 25°C. Com uma resistência máxima no estado ligado (RDS(on)) de 3Ω a VGS=10V, oferece capacidade eficiente de manuseio de potência para seu tamanho. O dispositivo também apresenta compatibilidade com nível lógico, permitindo que seja acionado diretamente por sinais lógicos de baixa tensão.

Este MOSFET é avaliado para avalanche, indicando sua robustez no manuseio de picos de energia durante a operação. Suas características de comutação rápida o tornam adequado para aplicações de alta frequência. O 2N7002H6327XTSA2 é embalado em um pacote compacto PG-SOT23, tornando-o ideal para aplicações com restrição de espaço. Ele também é compatível com RoHS e livre de halogênio, aderindo aos padrões ambientais atuais.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Dreno-Fonte (VDS): 60V
  • Corrente de Dreno Contínua (ID) a 25°C: 0,3A
  • Corrente de Dreno Pulsada (ID,pulse): 1,2A
  • Resistência Ligada (RDS(on)) máx: 3Ω a VGS=10V
  • Compatível com Nível Lógico
  • Avaliado para Avalanche
  • Comutação Rápida
  • Embalagem: PG-SOT23

2N7002H6327XTSA2 Datasheet

2N7002H6327XTSA2 folha de dados (PDF)

2N7002H6327XTSA2 Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para 2N7002H6327XTSA2, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Aplicações de comutação de alta velocidade
  • Circuitos de gerenciamento de energia
  • Conversores DC-DC
  • Circuitos de controle de motor

Categoria

Transistor

Informações gerais

MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico-Semicondutor) são um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são componentes fundamentais em dispositivos eletrônicos modernos, servindo uma ampla gama de aplicações de gerenciamento de potência a processamento de sinais. MOSFETs N-Channel, como o 2N7002H6327XTSA2, são projetados para conduzir entre os terminais de dreno e fonte quando uma tensão positiva é aplicada ao portão em relação à fonte.

Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, parâmetros chave como a tensão dreno-fonte (VDS), corrente de dreno (ID) e resistência em estado ligado (RDS(on)) são importantes a considerar. Esses parâmetros determinam as capacidades de manuseio de tensão e corrente do dispositivo, bem como sua eficiência. A compatibilidade com nível lógico é outro fator importante, especialmente em aplicações de baixa tensão onde o MOSFET precisa ser acionado diretamente por um microcontrolador ou outro dispositivo lógico.

A velocidade com que um MOSFET pode ligar e desligar é crítica em aplicações de alta frequência. A comutação rápida reduz as perdas de potência e melhora a eficiência. Além disso, dispositivos que são avaliados para avalanche oferecem confiabilidade aprimorada em condições onde picos de tensão podem ocorrer. A embalagem também é uma consideração, com pacotes compactos como o PG-SOT23 permitindo designs eficientes em termos de espaço.

Em resumo, a seleção de um MOSFET envolve uma avaliação cuidadosa de suas características elétricas, compatibilidade com o sinal de acionamento, desempenho de comutação e tamanho físico. Entender esses aspectos garantirá um desempenho ótimo na aplicação pretendida.

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