O 2N7002H6327XTSA2 da Infineon é um MOSFET de modo de aprimoramento de canal N projetado para aplicações de comutação de alta velocidade. Este componente opera com uma tensão máxima dreno-fonte (VDS) de 60V e pode lidar com correntes de dreno contínuas (ID) de até 0,3A a 25°C. Com uma resistência máxima no estado ligado (RDS(on)) de 3Ω a VGS=10V, oferece capacidade eficiente de manuseio de energia para seu tamanho. O dispositivo também possui compatibilidade de nível lógico, permitindo que seja acionado diretamente por sinais lógicos de baixa tensão.
Este MOSFET possui classificação de avalanche, indicando sua robustez no manuseio de picos de energia durante a operação. Suas características de comutação rápida o tornam adequado para aplicações de alta frequência. O 2N7002H6327XTSA2 é encapsulado em um pacote compacto PG-SOT23, tornando-o ideal para aplicações com restrição de espaço. Ele também é compatível com RoHS e livre de halogênio, aderindo aos padrões ambientais atuais.
Transistor
MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor) são um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são componentes fundamentais em dispositivos eletrônicos modernos, servindo a uma ampla gama de aplicações, desde gerenciamento de energia até processamento de sinais. MOSFETs de canal N, como o 2N7002H6327XTSA2, são projetados para conduzir entre os terminais de dreno e fonte quando uma tensão positiva é aplicada à porta em relação à fonte.
Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, parâmetros-chave como a tensão dreno-fonte (VDS), corrente de dreno (ID) e resistência no estado ligado (RDS(on)) são importantes a considerar. Esses parâmetros determinam as capacidades de manuseio de tensão e corrente do dispositivo, bem como sua eficiência. A compatibilidade de nível lógico é outro fator importante, especialmente em aplicações de baixa tensão onde o MOSFET precisa ser acionado diretamente por um microcontrolador ou outro dispositivo lógico.
A velocidade na qual um MOSFET pode ligar e desligar é crítica em aplicações de alta frequência. A comutação rápida reduz as perdas de energia e melhora a eficiência. Além disso, dispositivos classificados para avalanche oferecem maior confiabilidade em condições onde podem ocorrer picos de tensão. O encapsulamento também é uma consideração, com pacotes compactos como o PG-SOT23 permitindo designs com eficiência de espaço.
Em resumo, a seleção de um MOSFET envolve uma avaliação cuidadosa de suas características elétricas, compatibilidade com o sinal de acionamento, desempenho de comutação e tamanho físico. Compreender esses aspectos garantirá o desempenho ideal na aplicação pretendida.