2N7002L: MOSFET Canal N, 60V, 200mA, SOT-23

onsemi

O 2N7002L é um MOSFET de Canal N produzido usando a tecnologia DMOS de alta densidade de células da onsemi. Este componente foi projetado para oferecer baixa resistência no estado ligado, garantindo ao mesmo tempo um desempenho de comutação robusto, confiável e rápido. É particularmente adequado para aplicações de baixa tensão e baixa corrente, tornando-o uma escolha versátil para vários circuitos eletrônicos.

Apresentando um design de célula de alta densidade, o 2N7002L atinge baixo RDS(on), tornando-o uma escolha eficiente para tarefas de gerenciamento de energia. Sua capacidade de atuar como um interruptor de pequeno sinal controlado por tensão aumenta sua flexibilidade no design de circuitos. A alta capacidade de corrente de saturação e robustez do componente o tornam uma opção confiável para ambientes exigentes.

• Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 60 V
• Tensão Porta-Fonte (VGSS): ±20 V, Não Repetitiva (tp < 50 ms) ±40 V
• Corrente Máxima de Dreno (ID): 200 mA Contínua, 500 mA Pulsada
• Dissipação Máxima de Potência (PD): 400 mW, Derating acima de 25°C
• Resistência Térmica, Junção ao Ambiente (RθJA): 625 °C/W
• Tensão Limiar da Porta (VGS(th)): 1 a 2.5 V
• Resistência Estática Dreno-Fonte Ligado (RDS(on)): 1.2 a 7.5 Ω
• Tensão Dreno-Fonte Ligado (VDS(on)): 0.6 a 3.75 V

• Controle de pequenos servomotores
• Drivers de gate de MOSFET de potência
• Várias aplicações de comutação

MOSFETs de Canal N como o 2N7002L são componentes fundamentais no design eletrônico, oferecendo um meio de controlar eficientemente a distribuição de energia em circuitos. Esses transistores operam permitindo que a corrente flua entre os terminais de dreno e fonte quando uma tensão é aplicada ao terminal do gate, tornando-os ideais para comutação e amplificação de sinais.

Ao selecionar um MOSFET de Canal N, considerações importantes incluem a tensão dreno-fonte, tensão porta-fonte, corrente máxima de dreno e capacidades de dissipação de energia. As características térmicas também são cruciais, pois afetam a confiabilidade e o desempenho do dispositivo sob diferentes condições operacionais.

A baixa resistência no estado ligado do 2N7002L é benéfica para reduzir a perda de potência e melhorar a eficiência nas aplicações. Seu encapsulamento compacto SOT-23 é adequado para projetos com restrição de espaço. Os engenheiros também devem considerar a velocidade de comutação, a carga do gate e as características de capacitância para garantir a compatibilidade com os requisitos do circuito.

Em resumo, o 2N7002L oferece um equilíbrio de desempenho, confiabilidade e eficiência, tornando-o uma escolha adequada para uma ampla gama de aplicações de baixa tensão e baixa corrente. Compreender suas especificações e como elas se alinham com os requisitos da aplicação pretendida é fundamental para fazer uma seleção informada.