O Nexperia PMV55ENEA é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de aprimoramento de canal N de 60V empregando tecnologia Trench MOSFET. Embalado em um pacote plástico compacto SOT23 (TO-236AB) para Dispositivo de Montagem em Superfície (SMD), ele é projetado para aplicações de PCB de alta densidade. Este MOSFET é notável por sua compatibilidade de nível lógico, permitindo que seja acionado diretamente por circuitos lógicos sem a necessidade de drivers de porta adicionais.
Apresentando capacidades de comutação muito rápidas, o PMV55ENEA é ideal para aplicações de comutação de alta velocidade. Ele também inclui proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) integrada excedendo 2 kV HBM, aumentando sua robustez em ambientes sensíveis. Além disso, é qualificado pela AEC-Q101, tornando-o adequado para aplicações automotivas onde a confiabilidade é primordial.
MOSFET
MOSFETs de canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) amplamente utilizados em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno. Canal N refere-se ao tipo de portador de carga (elétrons) que flui através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, as principais considerações incluem a tensão dreno-fonte (VDS), tensão porta-fonte (VGS), corrente de dreno (ID) e a resistência no estado ligado dreno-fonte (RDSon). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com níveis de tensão e corrente, bem como sua eficiência e velocidade em aplicações de comutação.
MOSFETs são componentes essenciais em uma ampla gama de aplicações, desde gerenciamento e conversão de energia até processamento de sinais. A escolha da tecnologia MOSFET, como Trench MOSFET, influencia as características de desempenho do dispositivo, incluindo velocidade de comutação, resistência no estado ligado e robustez contra sobretensões.
Para engenheiros, entender os requisitos específicos de sua aplicação é crucial na seleção do MOSFET apropriado. Isso inclui considerar o ambiente operacional, como faixas de temperatura e a presença de potenciais descargas eletrostáticas, que podem impactar o desempenho e a confiabilidade do MOSFET.