O Nexperia PMV55ENEA é um MOSFET N-channel de 60V, modo de enriquecimento, que emprega tecnologia MOSFET de Trincheira. Embalado em um compacto pacote plástico SMD SOT23 (TO-236AB), é projetado para aplicações de PCB de alta densidade. Este MOSFET é notável por sua compatibilidade com nível lógico, permitindo que seja acionado diretamente por circuitos lógicos sem a necessidade de drivers de porta adicionais.
Apresentando capacidades de comutação muito rápidas, o PMV55ENEA é ideal para aplicações de comutação de alta velocidade. Ele também inclui proteção integrada contra Descarga Eletrostática (ESD) excedendo 2 kV HBM, aumentando sua robustez em ambientes sensíveis. Além disso, é qualificado AEC-Q101, tornando-o adequado para aplicações automotivas onde a confiabilidade é primordial.
MOSFET
MOSFETs de N-Canal são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno. N-Canal refere-se ao tipo de portador de carga (elétrons) que flui através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, considerações chave incluem a tensão de dreno-fonte (VDS), tensão de porta-fonte (VGS), corrente de dreno (ID) e a resistência de dreno-fonte no estado ligado (RDSon). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com níveis de tensão e corrente, bem como sua eficiência e velocidade em aplicações de comutação.
MOSFETs são componentes essenciais em uma ampla gama de aplicações, de gerenciamento e conversão de potência a processamento de sinais. A escolha da tecnologia MOSFET, como MOSFET de Trincheira, influencia as características de desempenho do dispositivo, incluindo velocidade de comutação, resistência em estado ligado e robustez contra sobretensões.
Para engenheiros, entender os requisitos específicos de sua aplicação é crucial na seleção do MOSFET apropriado. Isso inclui considerar o ambiente operacional, como faixas de temperatura e a presença de descargas eletrostáticas potenciais, que poderiam impactar o desempenho e a confiabilidade do MOSFET.