O PMV120ENEA é um transistor de efeito de campo (FET) de modo de enriquecimento de canal N que utiliza tecnologia MOSFET de trincheira, alojado em um compacto pacote plástico de dispositivo montado na superfície (SMD) SOT23 (TO-236AB). Este componente é projetado para gerenciamento eficiente de energia dentro de circuitos eletrônicos, oferecendo capacidades de comutação rápidas e compatibilidade com nível lógico, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações.
Os principais recursos incluem proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) excedendo 2 kV de acordo com o Modelo do Corpo Humano (HBM), garantindo robustez e confiabilidade em ambientes severos. Além disso, o PMV120ENEA é qualificado pela AEC-Q101, indicando sua adequação para aplicações automotivas. Sua tecnologia Trench MOSFET permite um desempenho melhorado em termos de eficiência de potência e gerenciamento térmico em comparação com MOSFETs tradicionais.
MOSFET
MOSFETs N-channel são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno. A designação N-channel refere-se ao uso de elétrons com carga negativa como portadores de carga.
Ao selecionar um MOSFET de canal N, vários parâmetros-chave devem ser considerados, incluindo a tensão dreno-fonte, tensão porta-fonte, corrente de dreno e resistência no estado ligado. Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com níveis de tensão e corrente, bem como sua eficiência e desempenho térmico.
Os MOSFETs são componentes essenciais em gerenciamento de energia, acionamento de cargas e aplicações de comutação de sinais. Sua rápida velocidade de comutação, alta eficiência e capacidade de lidar com níveis significativos de potência os tornam adequados para uma ampla gama de aplicações, desde eletrônicos de consumo até sistemas automotivos.
A tecnologia MOSFET de trincheira, como usada no PMV120ENEA, oferece desempenho aprimorado ao reduzir a resistência em estado ligado e melhorar as características térmicas, levando a um uso de potência mais eficiente e geração de calor reduzida. Esta tecnologia é particularmente benéfica em aplicações que exigem alta densidade de potência e eficiência.