2N7002ET7G: MOSFET N-Channel, 60V, 310mA, SOT-23, Baixo RDS(on)
onsemi

O 2N7002ET7G é um MOSFET de Canal N da onsemi, projetado para gerenciamento de energia eficiente e aplicações de comutação. Ele possui uma tensão de dreno para fonte (VDS) de 60V e uma corrente de dreno contínua máxima (ID) de 310mA, tornando-o adequado para uma variedade de aplicações de baixa potência. Este componente utiliza tecnologia de trincheira para alcançar valores baixos de resistência ligada (RDS(on)) de 2,5Ω a 10V e 3,0Ω a 4,5V, garantindo operação eficiente e redução da dissipação de potência.

Seu pacote SOT-23 compacto é otimizado para tecnologia de montagem em superfície, permitindo layouts de PCB de alta densidade. O 2N7002ET7G é qualificado pela AEC-Q101 e capaz de PPAP, indicando sua confiabilidade e adequação para aplicações automotivas. Além disso, é livre de Pb, livre de halogênio/BFR e compatível com RoHS, tornando-o uma escolha ambientalmente amigável para projetos eletrônicos.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Dreno-Fonte (VDS): 60V
  • Corrente Contínua de Dreno (ID): 310mA
  • Resistência Ligada (RDS(on)): 2.5Ω a 10V, 3.0Ω a 4.5V
  • Tensão Porta-Fonte (VGS): ±20V
  • Dissipação de Potência: 300mW estado constante, 420mW por <5s
  • Faixa de Temperatura de Junção Operacional: -55°C a +150°C
  • Pacote: SOT-23

2N7002ET7G Datasheet

2N7002ET7G folha de dados (PDF)

2N7002ET7G Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para 2N7002ET7G, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Chave de carga de lado baixo
  • Circuitos de deslocamento de nível
  • Conversores DC-DC
  • Aplicações portáteis (por exemplo, câmeras digitais, PDAs, celulares)

Categoria

MOSFET

Informações gerais

MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico-Semicondutor) são um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são um componente essencial em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos devido à sua alta eficiência e capacidades de comutação rápidas. MOSFETs de canal N, como o 2N7002ET7G, são tipicamente usados em aplicações onde correntes de carga precisam ser controladas por uma tensão aplicada ao terminal de porta.

Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, vários parâmetros são importantes a considerar, incluindo a tensão de dreno-fonte (VDS), tensão de porta-fonte (VGS), corrente de dreno contínua (ID) e resistência de ligação (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência necessários e sua eficiência no circuito.

O tipo de pacote também desempenha um papel significativo no desempenho do componente, particularmente em termos de gerenciamento térmico e pegada na PCB. Para aplicações que exigem alta confiabilidade, como automotiva ou industrial, também é importante considerar a conformidade do componente com padrões e qualificações da indústria.

No geral, a escolha de um MOSFET impactará significativamente o desempenho, eficiência e confiabilidade do dispositivo eletrônico em que é usado. Portanto, um entendimento completo das especificações do componente e como elas se alinham com os requisitos da aplicação é crucial para um design ótimo.

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