O PMV164ENEAR é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de realce N-channel que utiliza tecnologia MOSFET de trincheira. Ele é encapsulado em um compacto pacote plástico SOT23 (TO-236AB) de Dispositivo Montado na Superfície (SMD), tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações onde o espaço é limitado. Este componente é projetado para operar em níveis lógicos, tornando-o compatível com interfaces de microcontroladores modernos.
As principais características do PMV164ENEAR incluem uma faixa de temperatura operacional estendida de até 175°C e proteção integrada contra Descarga Eletrostática (ESD) excedendo 2 kV HBM (classe H2). Também é qualificado AEC-Q101, indicando sua adequação para uso em aplicações automotivas. Esses atributos, combinados com a baixa resistência no estado de condução do dispositivo, o tornam uma escolha eficiente para tarefas de gerenciamento de energia.
Transistor
MOSFETs de Canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para fins de comutação e amplificação. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de dreno e fonte. A designação de canal N refere-se ao tipo de portadores de carga (elétrons) que se movem através do canal formado entre a fonte e o dreno.
Ao selecionar um MOSFET N-channel, considerações importantes incluem a tensão máxima dreno-fonte (VDS), a corrente máxima que ele pode manipular (ID), a tensão porta-fonte (VGS) e a resistência dreno-fonte no estado ligado (RDSon). Esses parâmetros determinam a adequação do dispositivo para aplicações específicas, incluindo sua eficiência e capacidades de manuseio de potência.
MOSFETs são integrais à eletrônica moderna, encontrando aplicações em conversão de energia, controle de motores e como componentes chave em vários tipos de chaves eletrônicas. Sua capacidade de comutar rapidamente e com alta eficiência os torna particularmente valiosos em gerenciamento de energia e circuitos digitais.
Para engenheiros, escolher o MOSFET certo envolve entender os requisitos específicos de sua aplicação, incluindo o ambiente operacional, níveis de potência e velocidades de comutação. A embalagem do dispositivo, características térmicas e quaisquer recursos adicionais, como mecanismos de proteção integrados, também podem influenciar o processo de seleção.