PMV90ENER: 30 V, MOSFET de trincheira N-channel em pacote SOT23, compatível com nível lógico, comutação rápida

Nexperia

O PMV90ENE da Nexperia é um MOSFET de trincheira N-channel de 30 V, projetado para uso em uma variedade de aplicações que requerem controle e conversão de energia eficientes. Ele é encapsulado em um compacto pacote plástico de Dispositivo Montado em Superfície (SMD) SOT23 (TO-236AB), utilizando tecnologia avançada de MOSFET de trincheira para alcançar alto desempenho em uma pequena área.

Este MOSFET é caracterizado pela sua compatibilidade com nível lógico, permitindo que seja diretamente acionado por circuitos lógicos sem a necessidade de componentes de acionamento adicionais. Ele também apresenta capacidades de comutação muito rápidas, aumentando sua adequação para aplicações de alta velocidade e alta frequência. O dispositivo inclui proteção contra Descarga Eletrostática (ESD) superior a 2 kV HBM, protegendo-o contra danos causados por descargas estáticas.

• Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30 V máx
• Tensão Porta-Fonte (VGS): ±20 V
• Corrente de Dreno (ID): 3.7 A máx a VGS = 10 V, Tamb = 25 °C
• Resistência Dreno-Fonte em Estado Ligado (RDSon): 54 - 72 mΩ a VGS = 10 V, ID = 3 A
• Dissipação Total de Potência (Ptot): 460 mW máx a Tamb = 25 °C
• Temperatura da Junção (Tj): -55 a 150 °C

• Driver de relé
• Driver de linha de alta velocidade
• Chave de carga de baixo lado
• Circuitos de comutação

MOSFETs de Trincheira de Canal-N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) que utiliza uma estrutura de porta de trincheira para alcançar maior densidade e eficiência em comparação com MOSFETs planares tradicionais. Esses componentes são amplamente usados em aplicações de conversão e gerenciamento de energia devido à sua capacidade de controlar eficientemente o fluxo de energia em circuitos.

Ao selecionar um MOSFET Trench N-channel, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão drain-source (VDS), tensão gate-source (VGS), corrente de dreno (ID) e resistência drain-source em estado ligado (RDSon). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência e frequências de comutação necessários em uma determinada aplicação.

Além disso, o tipo de pacote e as características térmicas são considerações importantes. O pacote SOT23 é popular por seu tamanho compacto, tornando-o adequado para aplicações com limitações de espaço. O gerenciamento térmico é crucial para prevenir o superaquecimento e garantir operação confiável sob várias condições.

Por fim, características como compatibilidade com nível lógico e proteção ESD são benéficas para simplificar o design do circuito e aumentar a durabilidade do componente.