O BSS138BKVL da NXP Semiconductors é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de aprimoramento de canal N utilizando tecnologia Trench MOSFET. Ele é encapsulado em um pequeno pacote plástico de Dispositivo Montado em Superfície (SMD) SOT23 (TO-236AB), que fornece um footprint compacto para projetos onde o espaço é escasso. Este componente é projetado para ser compatível com nível lógico, permitindo fácil integração em circuitos digitais.
As principais características do BSS138BKVL incluem capacidades de comutação muito rápidas e proteção integrada contra Descarga Eletrostática (ESD) de até 1,5 kV, protegendo o dispositivo durante o manuseio e operação. A tecnologia Trench MOSFET empregada neste componente oferece características de desempenho aprimoradas em relação aos MOSFETs tradicionais, como menor resistência no estado ligado e carga de gate reduzida, que contribuem para maior eficiência nas aplicações.
MOSFET
MOSFETs de canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) amplamente utilizados em circuitos eletrônicos para fins de comutação e amplificação. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de dreno e fonte. Canal N refere-se ao tipo de portador de carga (elétrons) que flui através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET de canal N para uma aplicação específica, os engenheiros devem considerar parâmetros como a tensão dreno-fonte, tensão gate-source, corrente de dreno, resistência no estado ligado e dissipação de potência. Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de tensão e corrente necessários, bem como sua eficiência e desempenho térmico.
MOSFETs de canal N são comumente usados em aplicações que requerem gerenciamento eficiente de energia, como fontes de alimentação, controladores de motor e circuitos de comutação. Sua capacidade de alternar rapidamente entre os estados ligado e desligado com perda mínima de energia os torna ideais para aplicações de alta velocidade e alta eficiência. Além disso, a integração de recursos como proteção ESD e compatibilidade com nível lógico pode simplificar o projeto do circuito e aumentar a confiabilidade.