O BSS138BKVL da NXP Semiconductors é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de enriquecimento N-channel, utilizando tecnologia MOSFET de trincheira. Está encapsulado em um pequeno pacote plástico SMD (Dispositivo Montado na Superfície) SOT23 (TO-236AB), que fornece uma pegada compacta para designs onde o espaço é limitado. Este componente é projetado para ser compatível com níveis lógicos, permitindo fácil integração em circuitos digitais.
As principais características do BSS138BKVL incluem capacidades de comutação muito rápidas e proteção integrada contra Descarga Eletrostática (ESD) de até 1.5 kV, protegendo o dispositivo durante o manuseio e a operação. A tecnologia MOSFET de trincheira empregada neste componente oferece características de desempenho aprimoradas em comparação com MOSFETs tradicionais, como menor resistência em estado ligado e carga de porta reduzida, que contribuem para uma maior eficiência em aplicações.
MOSFET
MOSFETs de Canal N são um tipo de Transistor de Efeito de Campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para fins de comutação e amplificação. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de dreno e fonte. Canal N refere-se ao tipo de portador de carga (elétrons) que flui através do dispositivo.
Ao selecionar um MOSFET N-channel para uma aplicação específica, os engenheiros devem considerar parâmetros como a tensão de dreno-fonte, tensão de porta-fonte, corrente de dreno, resistência em estado ligado e dissipação de potência. Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de tensão e corrente necessários, bem como sua eficiência e desempenho térmico.
Os MOSFETs N-channel são comumente usados em aplicações que requerem gerenciamento eficiente de potência, como fontes de alimentação, controladores de motor e circuitos de comutação. Sua capacidade de alternar rapidamente entre os estados ligado e desligado com perda de potência mínima os torna ideais para aplicações de alta velocidade e alta eficiência. Além disso, a integração de recursos como proteção ESD e compatibilidade com nível lógico pode simplificar o design do circuito e aumentar a confiabilidade.