O Nexperia BSS138BK é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de modo de enriquecimento N-channel que utiliza a tecnologia Trench MOSFET, embalado em um pequeno pacote plástico SMD (Dispositivo Montado na Superfície) SOT23 (TO-236AB). Este componente é projetado para oferecer controle de potência eficiente e capacidades de comutação com uma tensão de dreno-fonte de até 60 V e uma corrente de dreno contínua de até 360 mA.
As principais características do BSS138BK incluem compatibilidade com nível lógico, proporcionando facilidade de uso em vários designs de circuito, e proteção ESD de até 1,5 kV, garantindo confiabilidade e durabilidade em aplicações sensíveis. Sua capacidade de comutação muito rápida o torna adequado para aplicações de comutação de alta velocidade. Além disso, ele é qualificado pela AEC-Q101, indicando sua adequação para aplicações automotivas.
MOSFET
MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor) são um tipo de FET projetado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são amplamente utilizados em dispositivos eletrônicos devido à sua alta eficiência, confiabilidade e capacidade de lidar com níveis significativos de potência. MOSFETs de canal N, como o BSS138BK, têm elétrons como portadores de carga e são tipicamente usados para aplicações de comutação de alta velocidade.
Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, parâmetros chave como a tensão dreno-fonte, tensão porta-fonte, corrente de dreno e dissipação de potência precisam ser considerados para garantir que o componente atenda aos requisitos do circuito. Além disso, o tipo de encapsulamento e as características térmicas são fatores importantes que afetam o desempenho e a adequação do MOSFET para a aplicação pretendida.
Os MOSFETs são integrantes em várias aplicações, desde o gerenciamento de energia em dispositivos portáteis até o controle de motores em sistemas automotivos. Sua capacidade de comutar e controlar a energia de forma eficiente os torna componentes essenciais no design eletrônico moderno. Entender os requisitos específicos de sua aplicação, incluindo os níveis de tensão e corrente necessários, bem como a velocidade de comutação desejada, guiará a seleção do MOSFET apropriado.