2N7002MTF: MOSFET de Canal N, 60V, 5.0Ω, 115mA, SOT-23
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O 2N7002MTF é um MOSFET de N-Canal projetado para aplicações de pequenos sinais, encapsulado em um compacto pacote SOT-23. Este componente é caracterizado por sua tensão de dreno-fonte (BVDSS) de 60V, resistência de estado ligado (RDS(on)) de 5.0Ω e uma corrente de dreno contínua (ID) de 115mA a 25°C. Seu design foca em melhorar o desempenho através de menor RDS(on), robustez indutiva aprimorada, tempos de comutação rápidos e capacitância de entrada reduzida.

Principais características incluem uma área de operação segura estendida e confiabilidade em altas temperaturas melhorada, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações. O dispositivo também se destaca por suas capacidades de comutação rápida e baixa dissipação de potência, que contribuem para sua eficiência em várias configurações de circuito. O design robusto e as características elétricas do MOSFET 2N7002MTF o tornam uma escolha ideal para engenheiros que procuram otimizar suas aplicações de comutação de pequenos sinais.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Dreno-Fonte (BVDSS): 60V
  • Resistência em Estado Ligado (RDS(on)): 5.0Ω
  • Corrente Contínua de Dreno (ID) a 25°C: 115mA
  • Tensão Porta-Fonte (VGS): ±20V
  • Dissipação Total de Potência a 25°C: 0.2W
  • Faixa de Temperatura de Operação e Armazenamento da Junção: -55 a +150°C
  • Resistência Térmica, Junção-ao-Ambiente: 625℃/W

2N7002MTF Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para 2N7002MTF, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Aplicações de comutação
  • Gerenciamento de energia
  • Processamento de sinal

Categoria

MOSFET

Informações gerais

Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs) são um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são componentes chave em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos devido à sua alta eficiência e capacidades de comutação rápida. MOSFETs N-Channel, em particular, são amplamente usados em aplicações de conversão e gerenciamento de energia devido à sua capacidade de lidar eficientemente com altas correntes e tensões.

Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, os engenheiros devem considerar fatores como a tensão dreno-fonte (BVDSS), a resistência no estado ligado (RDS(on)) e a corrente contínua de dreno (ID). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de conduzir eletricidade e sua eficiência em um circuito. Além disso, o tipo de encapsulamento e as características térmicas são importantes para garantir que o componente possa operar de forma confiável sob condições ambientais variáveis.

MOSFETs são integrais no projeto de fontes de alimentação eficientes em energia, controles de motor e circuitos inversores. Seus tempos de comutação rápidos e baixa dissipação de potência os tornam adequados para aplicações de alta frequência. No entanto, o gerenciamento térmico adequado e o design do circuito de acionamento são cruciais para prevenir danos e garantir longevidade.

No geral, a escolha de um MOSFET deve alinhar-se com os requisitos de tensão, corrente e térmicos da aplicação. Entender as especificações-chave e como elas afetam o desempenho ajudará na seleção do componente mais apropriado para um determinado projeto.

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