O SQ2364EES-T1_GE3 da Vishay é um MOSFET de Canal N projetado para aplicações automotivas, encapsulado em um pacote SOT-23 compacto. Este componente é caracterizado por sua capacidade de operar em altas temperaturas até 175 °C, tornando-o adequado para ambientes exigentes. Ele é qualificado AEC-Q101, garantindo confiabilidade e desempenho de grau automotivo. O MOSFET apresenta tecnologia TrenchFET®, proporcionando eficiência aprimorada e resistência no estado ligado reduzida.
Atributos chave incluem uma tensão dreno-fonte (VDS) de 60 V e uma corrente de dreno contínua (ID) de 2 A a 25 °C, com a capacidade de lidar com correntes de dreno pulsadas de até 8 A. Ele também oferece proteção robusta ESD de até 800 V. A baixa resistência no estado ligado (RDS(on)) em várias tensões de porta-fonte destaca sua eficiência em conduzir corrente. Além disso, é 100% testado em Rg e UIS, garantindo desempenho consistente em todas as unidades.
MOSFET
MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico-Semicondutor) são um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são amplamente utilizados em dispositivos eletrônicos devido à sua alta eficiência, confiabilidade e capacidade de lidar com níveis significativos de potência. MOSFETs de Canal N, em particular, são preferidos por sua alta mobilidade de elétrons e facilidade de integração em vários circuitos.
Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, vários fatores devem ser considerados, incluindo a tensão dreno-fonte (VDS), tensão porta-fonte (VGS), corrente de dreno contínua (ID) e a resistência de condução (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência requeridos e sua eficiência no circuito. O tipo de encapsulamento também desempenha um papel crucial no gerenciamento térmico do dispositivo.
Os MOSFETs são integrantes essenciais em sistemas de conversão e gerenciamento de energia, oferecendo soluções para distribuição eficiente de energia. Eles são especialmente valiosos em aplicações que exigem comutação de alta velocidade, baixo consumo de energia e tamanho compacto. Aplicações automotivas frequentemente demandam MOSFETs que possam operar de forma confiável sob condições severas, incluindo altas temperaturas e tensões.
O MOSFET SQ2364EES-T1_GE3 da Vishay, com sua alta tolerância a temperaturas e qualificação automotiva, exemplifica os avanços na tecnologia MOSFET, atendendo às rigorosas demandas da eletrônica automotiva e sistemas de gerenciamento de energia.