T2N7002BK,LM: N-चैनल MOSFET, 60V, 400mA, SOT23 पैकेज
Toshiba

Toshiba का T2N7002BK एक सिलिकॉन N-चैनल मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) है जिसे हाई-स्पीड स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह एक कॉम्पैक्ट SOT23 पैकेज में आता है, जो इसे जगह की कमी वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है। इस MOSFET में कम ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(ON)) मान हैं, जिसमें VGS = 10 V पर 1.05 Ω, VGS = 5.0 V पर 1.15 Ω, और VGS = 4.5 V पर 1.2 Ω के विशिष्ट मान हैं, जो कुशल संचालन प्रदान करते हैं और संचालन के दौरान बिजली के नुकसान को कम करते हैं।

T2N7002BK 60 V तक के ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS) का समर्थन करता है और 400 mA तक के निरंतर ड्रेन करंट (ID) को संभाल सकता है, जिसमें 1200 mA तक के स्पंदित ड्रेन करंट (IDP) होते हैं। इसके मजबूत डिज़ाइन में विभिन्न परिचालन स्थितियों के तहत विश्वसनीयता और स्थायित्व सुनिश्चित करने के लिए सुविधाएँ शामिल हैं, जिसमें 150°C तक की चैनल तापमान सीमा शामिल है। यह डिवाइस तेज़ स्विचिंग समय और कम गेट चार्ज भी प्रदान करता है, जो इसे उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है। यह ध्यान रखना महत्वपूर्ण है कि सभी MOSFETs की तरह, T2N7002BK इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज के प्रति संवेदनशील है और इसे उचित सावधानियों के साथ संभाला जाना चाहिए।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS): 60V
  • गेट-सोर्स वोल्टेज (VGSS): ±20V
  • निरंतर ड्रेन करंट (ID): 400mA
  • पल्स्ड ड्रेन करंट (IDP): 1200mA
  • पावर डिसिपेशन: 320mW (मानक), 1000mW (संवर्धित)
  • चैनल तापमान (Tch): 150°C
  • ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(ON)): 1.05 Ω (typ. at VGS=10V)
  • गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज (Vth): 1.1 से 2.1V
  • फॉरवर्ड ट्रांसफर एडमिटेंस: ≥1.0S
  • इनपुट/आउटपुट कैपेसिटेंस: Ciss=26 से 40pF, Coss=5.5pF

T2N7002BK,LM डेटाशीट

T2N7002BK,LM डेटाशीट (PDF)

T2N7002BK,LM विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो T2N7002BK,LM के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • हाई-स्पीड स्विचिंग अनुप्रयोग
  • पावर मैनेजमेंट
  • लोड स्विच
  • मोटर कंट्रोल

श्रेणी

MOSFET

सामान्य जानकारी

MOSFETs (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) एक प्रकार के ट्रांजिस्टर हैं जिनका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक संकेतों को बढ़ाने या स्विच करने के लिए किया जाता है। अपनी उच्च दक्षता और तेज़ स्विचिंग क्षमताओं के कारण वे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की एक विस्तृत श्रृंखला में एक आवश्यक घटक हैं। N-Channel MOSFETs, जैसे कि T2N7002BK, आमतौर पर उन अनुप्रयोगों में उपयोग किए जाते हैं जिनमें कुशल बिजली प्रबंधन और उच्च गति स्विचिंग की आवश्यकता होती है।

किसी विशिष्ट एप्लिकेशन के लिए MOSFET का चयन करते समय, कई प्रमुख मापदंडों पर विचार किया जाना चाहिए, जिसमें ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS), ड्रेन करंट (ID), बिजली अपव्यय (PD), और ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(ON)) शामिल हैं। गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज (Vth) और गेट चार्ज भी महत्वपूर्ण कारक हैं जो MOSFET के स्विचिंग प्रदर्शन और दक्षता को प्रभावित करते हैं।

MOSFETs का व्यापक रूप से बिजली रूपांतरण और प्रबंधन अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है, जिसमें DC-DC कन्वर्टर्स, बिजली की आपूर्ति और मोटर नियंत्रण सर्किट शामिल हैं। उच्च गति पर कुशलतापूर्वक स्विच करने की उनकी क्षमता उन्हें उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाती है। हालांकि, डिजाइन और हैंडलिंग के दौरान MOSFETs के थर्मल प्रबंधन और इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ESD) संवेदनशीलता पर विचार करना महत्वपूर्ण है।

कुल मिलाकर, MOSFET का चयन एप्लिकेशन की आवश्यकताओं की गहन समझ और घटक के विनिर्देशों की सावधानीपूर्वक समीक्षा पर आधारित होना चाहिए। यह अंतिम इलेक्ट्रॉनिक डिज़ाइन में इष्टतम प्रदर्शन और विश्वसनीयता सुनिश्चित करता है।

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