Diodes Inc. का 2N7002K-7 एक N-चैनल एन्हांसमेंट मोड MOSFET है जिसे कुशल बिजली प्रबंधन और मोटर नियंत्रण एप्लिकेशन्स के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह एक कॉम्पैक्ट SOT23 पैकेज में आता है, जो इसे उच्च-घनत्व PCB लेआउट के लिए उपयुक्त बनाता है। इस MOSFET की विशेषता इसका कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDS(ON)) और तेज स्विचिंग क्षमताएं हैं, जो बिजली के नुकसान को कम करने और समग्र सिस्टम दक्षता में सुधार के लिए महत्वपूर्ण हैं।
60V के अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS) और 25°C पर 380mA तक की निरंतर ड्रेन करंट (ID) क्षमता के साथ, 2N7002K-7 अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त है। इसमें कम इनपुट और आउटपुट लीकेज करंट भी हैं, जो ऑफ स्टेट में होने पर न्यूनतम बिजली की बर्बादी सुनिश्चित करते हैं। डिवाइस 2kV तक ESD संरक्षित है, जो कठोर वातावरण में अतिरिक्त विश्वसनीयता और मजबूती प्रदान करता है।
MOSFET
N-चैनल एन्हांसमेंट मोड MOSFETs अर्धचालक उपकरण हैं जो व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में स्विचिंग और प्रवर्धन उद्देश्यों के लिए उपयोग किए जाते हैं। ये घटक अर्धचालक सामग्री में एक चैनल की चालकता को नियंत्रित करने के लिए विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं, जिससे करंट के प्रवाह की अनुमति मिलती है या अवरुद्ध होता है।
N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियरों को ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDSS), निरंतर ड्रेन करंट (ID), और स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(ON)) जैसे कई प्रमुख मापदंडों पर विचार करना चाहिए। ये पैरामीटर किसी दिए गए एप्लिकेशन में वोल्टेज और करंट स्तरों को संभालने की MOSFET की क्षमता, साथ ही इसकी दक्षता और थर्मल प्रदर्शन को निर्धारित करते हैं।
इसके अतिरिक्त, स्विचिंग गति, इनपुट कैपेसिटेंस और पैकेजिंग भी महत्वपूर्ण कारक हैं। स्विचिंग नुकसान को कम करने के लिए तेज़ स्विचिंग गति वांछनीय है, जबकि कम इनपुट कैपेसिटेंस उच्च परिचालन आवृत्तियों को प्राप्त करने में मदद करता है। पैकेज का प्रकार थर्मल प्रबंधन और सर्किट में MOSFET के भौतिक एकीकरण को प्रभावित करता है।
N-चैनल MOSFETs का उपयोग आमतौर पर बिजली आपूर्ति सर्किट, मोटर नियंत्रण अनुप्रयोगों और विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में स्विचिंग तत्वों के रूप में किया जाता है। बिजली के नुकसान को कम करते हुए उच्च धाराओं और वोल्टेज को कुशलतापूर्वक नियंत्रित करने की उनकी क्षमता उन्हें आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक डिजाइन में आवश्यक घटक बनाती है।