2N7002ET1G: N-चैनल MOSFET, 60V, 310mA, SOT-23, कम RDS(on)

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2N7002ET1G एक N-Channel MOSFET है जिसे अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला में कुशल बिजली प्रबंधन और सिग्नल प्रोसेसिंग के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह डिवाइस कम ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)) और उच्च स्विचिंग प्रदर्शन प्राप्त करने के लिए ट्रेंच तकनीक का उपयोग करता है, जो इसे उच्च-दक्षता बिजली रूपांतरण और नियंत्रण के लिए उपयुक्त बनाता है। छोटा SOT-23 पैकेज जगह की कमी वाले अनुप्रयोगों में कॉम्पैक्ट डिज़ाइन की अनुमति देता है।

60V के अधिकतम ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज और 310mA के निरंतर ड्रेन करंट के साथ, 2N7002ET1G मध्यम शक्ति स्तरों को संभालने में सक्षम है। इसका कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज लॉजिक सर्किट से आसान ड्राइव सुनिश्चित करता है, जिससे विभिन्न प्रकार के नियंत्रण इंटरफेस के साथ इसकी संगतता बढ़ जाती है। डिवाइस AEC-Q101 योग्य और PPAP सक्षम है, जो इसे ऑटोमोटिव अनुप्रयोगों और अन्य कड़े वातावरणों के लिए उपयुक्त बनाता है।

• ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (VDSS): 60V
• गेट-टू-सोर्स वोल्टेज (VGS): ±20V
• निरंतर ड्रेन करंट (ID): 310mA
• पावर डिसिपेशन: 300mW
• RDS(on): 10V पर 2.5Ω, 4.5V पर 3.0Ω
• जंक्शन-टू-एम्बिएंट थर्मल रेजिस्टेंस (RθJA): 417°C/W स्थिर अवस्था
• ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज: -55°C से +150°C
• इनपुट कैपेसिटेंस (CISS): 40pF
• कुल गेट चार्ज (QG(TOT)): 0.81nC

• लो साइड लोड स्विच
• लेवल शिफ्ट सर्किट
• DC-DC कन्वर्टर्स
• पोर्टेबल अनुप्रयोग (जैसे, डिजिटल कैमरे, PDA, सेल फोन)

MOSFETs (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में एक मौलिक घटक हैं, जो कुशल स्विच या एम्पलीफायर के रूप में कार्य करते हैं। इनका व्यापक रूप से बिजली रूपांतरण और प्रबंधन, सिग्नल प्रोसेसिंग और विभिन्न अनुप्रयोगों में लोड ड्राइवर के रूप में उपयोग किया जाता है। MOSFETs उच्च इनपुट प्रतिबाधा और कम आउटपुट प्रतिबाधा प्रदान करते हैं, जिससे वे स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए अत्यधिक कुशल बन जाते हैं।

MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियरों को डिवाइस की अधिकतम वोल्टेज और करंट रेटिंग, बिजली दक्षता के लिए RDS(on), स्विचिंग गति और थर्मल प्रदर्शन पर विचार करना चाहिए। सर्किट में भौतिक एकीकरण के लिए पैकेजिंग भी महत्वपूर्ण है। MOSFETs विभिन्न प्रकारों में उपलब्ध हैं, जैसे हाई-स्पीड स्विचिंग के लिए N-चैनल और आसान ड्राइव क्षमता के लिए P-चैनल।

2N7002ET1G, अपने कम RDS(on) और कॉम्पैक्ट SOT-23 पैकेज के साथ, एक MOSFET का उदाहरण है जिसे ऑटोमोटिव और पोर्टेबल डिवाइस दोनों अनुप्रयोगों में कुशल स्विचिंग और पावर प्रबंधन के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसकी ट्रेंच तकनीक और कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज इसे उच्च दक्षता वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं।

ऑटोमोटिव जैसी उच्च विश्वसनीयता की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए, 2N7002ET1G जैसे AEC-Q101 योग्य और PPAP सक्षम MOSFET का चयन करना यह सुनिश्चित करता है कि घटक कड़े गुणवत्ता मानकों को पूरा करता है। थर्मल विशेषताओं को समझना और पर्याप्त गर्मी अपव्यय सुनिश्चित करना भी ओवरहीटिंग को रोकने और दीर्घकालिक विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए महत्वपूर्ण है।