2N7002,215: 60V, 300mA N-चैनल ट्रेंच MOSFET, फास्ट स्विचिंग, SOT23
Nexperia

Nexperia द्वारा 2N7002,215 एक N-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो ट्रेंच MOSFET तकनीक का उपयोग करता है, जो प्लास्टिक, सरफेस-माउंटेड SOT23 पैकेज में इनकैप्सुलेटेड है। यह घटक बहुत तेज़ स्विचिंग क्षमताओं को सक्षम करके विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में कुशल प्रदर्शन प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। ट्रेंच MOSFET तकनीक का उपयोग न केवल डिवाइस के प्रदर्शन को बढ़ाता है बल्कि समय के साथ इसकी विश्वसनीयता और स्थायित्व में भी योगदान देता है।

2N7002,215 की प्रमुख विशेषताओं में लॉजिक लेवल गेट ड्राइव स्रोतों के लिए इसकी उपयुक्तता शामिल है, जो आमतौर पर डिजिटल सर्किट में पाए जाने वाले कम वोल्टेज स्तरों पर काम करने की इसकी क्षमता को इंगित करता है। यह विशेषता, इसकी तेज़ स्विचिंग गति के साथ मिलकर, इसे हाई-स्पीड स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प बनाती है। घटक SOT23 पैकेज में आता है, एक कॉम्पैक्ट फॉर्म फैक्टर जो इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की एक विस्तृत श्रृंखला में आसान एकीकरण की सुविधा प्रदान करता है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 60V
  • ड्रेन करंट (ID): 300mA
  • कुल बिजली अपव्यय (Ptot): 0.83W
  • ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDSon): 2.8 से 5Ω
  • गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS): ±30V, पीक ±40V
  • जंक्शन तापमान (Tj): -65 से 150°C
  • पैकेज: SOT23

2N7002,215 डेटाशीट

2N7002,215 डेटाशीट (PDF)

2N7002,215 विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो 2N7002,215 के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • लॉजिक लेवल ट्रांसलेटर
  • हाई-स्पीड लाइन ड्राइवर

श्रेणी

ट्रांजिस्टर

सामान्य जानकारी

फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FETs) एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जो विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके बिजली के प्रवाह को नियंत्रित करता है। वे एम्पलीफायरों, ऑसिलेटर्स और स्विच सहित विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में प्रमुख घटक हैं। N-चैनल MOSFETs, जैसे कि 2N7002,215, इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में सिग्नल स्विच करने और बढ़ाने के लिए विशेष रूप से उपयोगी हैं।

किसी विशिष्ट अनुप्रयोग के लिए FET का चयन करते समय, ड्रेन-सोर्स वोल्टेज, ड्रेन करंट, बिजली अपव्यय और स्विचिंग गति जैसे कारकों पर विचार करना महत्वपूर्ण है। FET की पैकेजिंग भी एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है, विशेष रूप से कॉम्पैक्ट या सतह-माउंटेड डिज़ाइनों में। ट्रेंच MOSFET तकनीक, जैसा कि 2N7002,215 में उपयोग किया जाता है, ऑन-स्टेट प्रतिरोध को कम करके और स्विचिंग गति को बढ़ाकर बेहतर प्रदर्शन प्रदान करती है।

तेजी से स्विचिंग और कम बिजली हानि की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए, 2N7002,215 जैसे N-चैनल MOSFETs आदर्श हैं। लॉजिक लेवल गेट ड्राइव वोल्टेज पर काम करने की उनकी क्षमता उन्हें माइक्रोकंट्रोलर और अन्य डिजिटल लॉजिक सर्किट के साथ इंटरफेस करने के लिए उपयुक्त बनाती है। इसके अलावा, कॉम्पैक्ट SOT23 पैकेज पीसीबी डिजाइन में जगह के कुशल उपयोग की अनुमति देता है।

संक्षेप में, MOSFET चुनते समय, इंजीनियरों को अपने अनुप्रयोग की आवश्यकताओं के विरुद्ध घटक के विनिर्देशों का सावधानीपूर्वक मूल्यांकन करना चाहिए। 2N7002,215 प्रदर्शन, विश्वसनीयता और एकीकरण में आसानी का एक संतुलित संयोजन प्रदान करता है, जो इसे इलेक्ट्रॉनिक डिजाइनों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए एक बहुमुखी विकल्प बनाता है।

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