2N7002-T1-E3: N-चैनल 60-V (D-S) MOSFET, VGS(th) 1-2.5V, ID 0.115A
Vishay

2N7002-T1-E3 एक N-चैनल MOSFET है जो Vishay द्वारा निर्मित है, जिसे कुशल बिजली प्रबंधन और हाई-स्पीड स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। इस घटक की विशेषता 60V तक के ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS) को संभालने की क्षमता है, जिसमें गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)) 1 से 2.5V तक होता है। अधिकतम निरंतर ड्रेन करंट (ID) जिसका यह समर्थन कर सकता है वह 0.115A है, जो इसे निम्न से मध्यम करंट अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।

2N7002-T1-E3 की प्रमुख विशेषताओं में इसका कम ऑन-रेसिस्टेंस और तेज़ स्विचिंग गति शामिल है, जो इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में कम बिजली हानि और बेहतर दक्षता में योगदान करती है। डिवाइस को एक कॉम्पैक्ट SOT-23 फॉर्म फैक्टर में पैक किया गया है, जो प्रदर्शन और आकार के बीच संतुलन प्रदान करता है, जिससे यह जगह की कमी वाले अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बन जाता है। इसका मजबूत डिज़ाइन चुनौतीपूर्ण परिचालन स्थितियों में भी विश्वसनीयता और दीर्घायु सुनिश्चित करता है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 60V
  • गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)): 1 से 2.5V
  • कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (ID): 0.115A
  • ऑन-रेसिस्टेंस (rDS(on)): 7.5 Ohm @ VGS = 10V
  • इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss): 22pF
  • स्विचिंग स्पीड: 7ns
  • ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 से 150°C

2N7002-T1-E3 डेटाशीट

2N7002-T1-E3 डेटाशीट (PDF)

2N7002-T1-E3 विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो 2N7002-T1-E3 के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • हाई-स्पीड स्विचिंग एप्लिकेशन
  • पावर मैनेजमेंट सर्किट
  • बैटरी संचालित सिस्टम
  • रिले, सोलनॉइड, लैंप और ट्रांजिस्टर के लिए ड्राइवर

श्रेणी

ट्रांजिस्टर

सामान्य जानकारी

N-चैनल MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जो इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में सिग्नल स्विच करने और एम्पलीफाई करने के लिए व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं। वे एक चैनल की चालकता को नियंत्रित करने के लिए एक विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं, जिससे कुशल बिजली प्रबंधन और हाई-स्पीड स्विचिंग की अनुमति मिलती है। 'N-चैनल' पदनाम चार्ज कैरियर (इलेक्ट्रॉन) के प्रकार को संदर्भित करता है जो डिवाइस के माध्यम से प्रवाहित होते हैं।

N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियर ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)), और निरंतर ड्रेन करंट (ID) सहित कई प्रमुख मापदंडों पर विचार करते हैं। ये पैरामीटर बिजली रूपांतरण से लेकर सिग्नल एम्पलीफिकेशन तक विशिष्ट अनुप्रयोगों के लिए MOSFET की उपयुक्तता निर्धारित करते हैं।

N-Channel MOSFETs का उपयोग करने के लाभों में उनकी उच्च दक्षता, तेज़ स्विचिंग गति और कम ऑन-रेज़िस्टेंस शामिल हैं, जो बिजली की हानि और गर्मी उत्पादन को कम करने में योगदान करते हैं। हालांकि, यह सुनिश्चित करना महत्वपूर्ण है कि MOSFET के विनिर्देश इच्छित एप्लिकेशन की आवश्यकताओं से मेल खाते हों, जिसमें ऑपरेटिंग वोल्टेज, करंट क्षमता और स्विचिंग आवृत्ति शामिल है।

विद्युत विनिर्देशों के अलावा, पैकेजिंग और थर्मल प्रबंधन भी महत्वपूर्ण विचार हैं। पैकेज का प्रकार MOSFET के थर्मल प्रतिरोध को प्रभावित करता है और परिणामस्वरूप, गर्मी को खत्म करने की इसकी क्षमता को प्रभावित करता है। समय के साथ डिवाइस के प्रदर्शन और विश्वसनीयता को बनाए रखने के लिए उचित थर्मल प्रबंधन महत्वपूर्ण है।

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