Nexperia का 2N7002BK एक N-चैनल एन्हांसमेंट मोड फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है जो ट्रेंच MOSFET तकनीक का उपयोग करता है। इसे एक कॉम्पैक्ट SOT23 (TO-236AB) सरफेस-माउंटेड डिवाइस (SMD) प्लास्टिक पैकेज में पैक किया गया है, जिसे बहुत तेज स्विचिंग क्षमताओं वाले लॉजिक लेवल अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। घटक 2 kV तक ESD सुरक्षा से लैस है, जो विभिन्न अनुप्रयोगों में मजबूत प्रदर्शन सुनिश्चित करता है।
इस MOSFET की विशेषता 25°C पर 60 V का ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS) और 350 mA का ड्रेन करंट (ID) है, जिसमें ±20 V का गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) है। ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट प्रतिरोध (RDSon) को 10 V के गेट-सोर्स वोल्टेज और 500 mA के ड्रेन करंट पर 1 और 1.6 Ω के बीच निर्दिष्ट किया गया है। इसकी थर्मल विशेषताएं और गतिशील पैरामीटर, जिसमें कुल गेट चार्ज और इनपुट/आउटपुट कैपेसिटेंस शामिल हैं, हाई-स्पीड स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित हैं।
MOSFET
N-चैनल MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जो मुख्य रूप से विभिन्न प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में इलेक्ट्रॉनिक संकेतों को स्विच करने और बढ़ाने (amplifying) के लिए उपयोग किए जाते हैं। वे स्रोत (source) और ड्रेन (drain) टर्मिनलों के बीच करंट के प्रवाह को नियंत्रित करने के लिए एक विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं। N-चैनल चार्ज कैरियर (इलेक्ट्रॉनों) के प्रकार को संदर्भित करता है जो डिवाइस के माध्यम से प्रवाहित होते हैं।
N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियरों को ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), ड्रेन करंट (ID), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), और ड्रेन-सोर्स ऑन-स्टेट रेजिस्टेंस (RDSon) जैसे मापदंडों पर विचार करना चाहिए। अन्य महत्वपूर्ण कारकों में डिवाइस की बिजली अपव्यय क्षमताएं, थर्मल प्रतिरोध और ESD सुरक्षा जैसी कोई भी सुरक्षात्मक विशेषताएं शामिल हैं।
MOSFETs बिजली आपूर्ति सर्किट, मोटर नियंत्रण सर्किट के डिजाइन में और विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में स्विच के रूप में अभिन्न अंग हैं। तेजी से स्विच करने की उनकी क्षमता उन्हें उच्च गति और उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाती है। पैकेजिंग का चुनाव (जैसे, SOT23) भी महत्वपूर्ण है, जो थर्मल प्रबंधन और सर्किट डिजाइन में घटक के समग्र फुटप्रिंट को प्रभावित करता है।
कुल मिलाकर, N-चैनल MOSFET का चयन अनुप्रयोग की विशिष्ट आवश्यकताओं द्वारा निर्देशित होना चाहिए, जिसमें ऑपरेटिंग वोल्टेज और करंट स्तर, स्विचिंग गति, थर्मल विचार और पैकेजिंग बाधाएं शामिल हैं।