IRLML2060TRPBF: HEXFET पावर MOSFET, 60V, 1.2A, RDS(on) अधिकतम 480mΩ @ 10V
Infineon

IRLML2060TRPBF एक HEXFET पावर MOSFET है जिसे Infineon द्वारा इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में कुशल बिजली प्रबंधन के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह 60V के ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS) पर संचालित होता है और 10V के गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS) पर 1.2A के निरंतर ड्रेन करंट (ID) को संभाल सकता है। डिवाइस में VGS = 10V पर 480mΩ का अधिकतम स्टेटिक ड्रेन-टू-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)) है, जो VGS = 4.5V पर 640mΩ तक बढ़ जाता है, जिससे न्यूनतम बिजली हानि के साथ कुशल संचालन सुनिश्चित होता है।

यह MOSFET मौजूदा सर्फेस माउंट तकनीकों के साथ संगत है, जिससे इसे विभिन्न डिज़ाइनों में शामिल करना आसान हो जाता है। इसे उद्योग-मानक पिनआउट के साथ डिज़ाइन किया गया है, जो मल्टी-वेंडर संगतता सुनिश्चित करता है। इसका RoHS अनुपालन इंगित करता है कि इसमें कोई सीसा, ब्रोमाइड या हैलोजन नहीं है, जो इसे पावर स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए पर्यावरण के अनुकूल विकल्प बनाता है। IRLML2060TRPBF अपने मजबूत प्रदर्शन और विश्वसनीयता के कारण लोड/सिस्टम स्विच सहित अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • VDS (ड्रेन-सोर्स वोल्टेज): 60V
  • ID (निरंतर ड्रेन करंट) @ TA = 25°C: 1.2A
  • RDS(on) (स्टेटिक ड्रेन-टू-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस) @ VGS = 10V: 480mΩ
  • VGS (गेट-टू-सोर्स वोल्टेज) अधिकतम: ±16V
  • PD (अधिकतम पावर डिसिपेशन) @ TA = 25°C: 1.25W
  • TJ, TSTG (जंक्शन और स्टोरेज तापमान रेंज): -55 से +150°C

IRLML2060TRPBF डेटाशीट

IRLML2060TRPBF डेटाशीट (PDF)

IRLML2060TRPBF विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो IRLML2060TRPBF के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • लोड/सिस्टम स्विच

श्रेणी

पावर MOSFET

सामान्य जानकारी

पावर MOSFETs विद्युत शक्ति के प्रवाह को नियंत्रित करने के लिए इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में मौलिक घटक हैं। वे स्विच या एम्पलीफायर के रूप में काम करते हैं, उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स से लेकर औद्योगिक प्रणालियों तक, अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला में बिजली वितरण का कुशलतापूर्वक प्रबंधन करते हैं। पावर MOSFET चुनते समय, महत्वपूर्ण विचारों में अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS), निरंतर ड्रेन करंट (ID), गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS), और स्टेटिक ड्रेन-टू-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)) शामिल हैं। ये पैरामीटर न्यूनतम नुकसान के साथ आवश्यक बिजली स्तरों को संभालने की MOSFET की क्षमता निर्धारित करते हैं।

Infineon द्वारा डिज़ाइन किया गया IRLML2060TRPBF, लोड/सिस्टम स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त एक उच्च-प्रदर्शन पावर MOSFET का उदाहरण है। इसमें कम ऑन-रेसिस्टेंस (on-resistance) है, जो कुशल बिजली प्रबंधन और न्यूनतम गर्मी उत्पादन सुनिश्चित करता है। इंजीनियरों को थर्मल प्रबंधन और मौजूदा विनिर्माण प्रक्रियाओं के साथ संगतता के लिए पैकेज प्रकार पर भी विचार करना चाहिए। इसके अलावा, वैश्विक बाजारों के लिए घटक की उपयुक्तता सुनिश्चित करने के लिए RoHS जैसे पर्यावरणीय अनुपालन महत्वपूर्ण हैं। संक्षेप में, सही पावर MOSFET का चयन करने में प्रदर्शन, दक्षता, थर्मल प्रबंधन और पर्यावरणीय मानकों के अनुपालन को संतुलित करना शामिल है।

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